Tipos de transistores

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TRANSISTOR UJT/FET/MOS-TESTES História O transistor foi criado nos laboratórios da Bell Telephone em dezenbro de 1947. A invenção desse componente é atribuída a três cientistas: Bradeen, Brattain e Shockley. O primeiro transistor surgiu por acaso durante estudos de superfícies em torno de um diodo de ponto de contato e seu nome foi derivado de suas características intrínsecas: "resistor detransferência" (transfer + resistor). Em 1955 iniciou-se a comercialização do transistor de silício, com essa tecnologia o preço do transistor caiu já que o silício ao contrario do germânio, é mais abundante na natureza. Descrição Dispositivo de 3 terminais (alguns possuem mais) que pode funcionar como amplificador ou como chave. Uso para o Transistor O transistor quando opera na região linear de suareta de carga é usado como amplificador. E na região de corte ou saturação ele é usado como chave. Tipos de Transistores Vejamos os mais importantes: • BIPOLARES (mais comum) • FET (transistor de efeito de campo); • MOSFET (transistor de efeito de campo com metal oxido semicondutor); • UJT (transistor de unijunção); • IGBT(transistor bipolar de porta isolada). Transistores Bipolares Principio deFuncionamento Funciona como um resistor variável entre coletor e emissor controlado pela corrente da base. Caracterisiticas dos Transistores Bipolares • Trabalha com alta potência; • Funciona em alta freqüência; • É excitado por corrente; • Possui menor resistência entre coletor e emissor quando em saturação. Polarização Pode ser de dois tipos PNP (conduz com negativo na base) ou NPN (conduz compositivo na base).

Símbolos

Conexão Darlington Mostrada na figura abaixo esta forma de conexão permite que a partir de 2 transistores possamos fazer um transistor de alto ganho.

Beta do Transistor É o seu fator de amplificação, da corrente de base (IB) IC=IB x B Onde: IC: corrente de coletor IB: corrente de base B: beta (ganho) Configurações básicas Existem 3 (BC, CC e EC) cada uma com suasvantagens e desvantagens.

Base comum (BC)

• • • •

Baixa impedância(Z) de saída. Alta impedância(Z) de entrada. Não a defasagem entre o sinal de saída e o de entrada. Amplificação de corrente igual a um.

Coletor comum (CC)

• • • •

Alta impedância (Z) de saída. Baixa impedância (Z) de entrada. Não a defasagem entre o sinal de saída e o de entrada. Amplificação de tensão igual aum.

Emissor comum (EC)

• • • •

Alta impedância(Z) de saída. Baixa impedância(Z) de entrada. Defasagem entre o sinal de saída e o de entrada de 18O. Amplificação de corrente de 10 a 100 vezes.

Correntes de fuga Chamada ICB0 circula entre coletor e base com emissor aberto. Chamada IBE0 circula entre base e emissor com coletor aberto. Chamada ICE0 circula entre coletor e emissor com baseaberta. Tensão de ruptura VCB0 = Tensão entre coletor e base com emissor aberto. VBE0 = Tensão entre base e emissor com coletor aberto. VCE0 = Tensão entre coletor e emissor com base aberta. VCES = Tensão entre coletor e emissor quando base esta ligada ao emissor. Tabela Material Silicio Germani o

VBEsaturaç ão 0,8 0,2

VCEsatura ção 0,2 0,1

VBEativ o 0,7 0,5

VBElimia r 0,5 0,1VBEcort e 0,0 -0,1

Classificação de transistores São classificados como transistores de baixa, média e alta potência.

Invólucro dos transistores (pattern)

Devido ao calor produzido o transistor e outro componente são produzidos em diversos formatos (chamados invólucros ou encapsulamento), para sua instalação em dissipadores de calor. OS transistores usam os: SOT 37, SOT 3, TO 39, SOT 9, TO 3,SOT 18, SOT 32, SOT 82, SOT 93, entre outros. Tabelas de transistores Apresentam as seguintes especificações: • Tipo: é o nome do transistor • Pol: polarização; N quer dizer NPN e P significa PNP. • VCEO: tensão entre coletor e emissor com a base aberta. • VCER: tensão entre coletor e emissor com resistor no emissor. • IC: corrente máxima do emissor. • PTOT: È a máxima potência que o transistor...
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