Transistores bipolares

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Transistores bipolares



Índice

Introdução

1. Aspectos construtivos dos transistores
1.1- Transistores de junção por liga
1.2- Transistores difundidos
1.3- Transistores planos
1.4- Formas especiais de transistores de junção
1.5- Transistores de uni-junção
1.6- Classificação dos transistores de junção
1.7- Transistores de efeito de campo
1.8- Aspecto do fet de junçãoIntrodução


A eletrônica moderna começou com o aparecimento do transistor em 1947.Um transistor é feito de três camadas, geralmente de Silício ( elemento químico encontrado em grande quantidade na natureza), no processo de fabricação do transistor , se umas das camadas for enriquecida com elétrons passa a ser chamada N, e se é empobrecida perde elétrons e fica camada P, por estemotivo temos transistores tipo PNP e NPN.
Todos os transistores possuem três terminais o que esta ligado no meio chama-se base e os da ponta chamam-se coletor e emissor.
Entre o coletor e emissor aplica-se a tensão elétrica, e entre a base e o emissor faz-se circular a corrente que irá controlar a corrente entre coletor e emissor.
A corrente da base deve ser obtida por uma tensão elétricaadequada. Se a base é tipo P, o pólo positivo da tensão deve ser ligado na base e o negativo no emissor, assim os elétrons em excesso no emissor são acelerados em direção a base.
Ao longo do trabalho vamos alguns tipos de transistores, como se procedo quanto o seu fabrico, as suas características.










ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES


TRANSISTORES DE JUNÇÃO POR LIGA

Osprimeiros transistores encontrados comercialmente, nos primórdios de 1950, foram feitos pelo processo de junção de liga de germânio. Neste processo, as junções pn eram formadas pela liga de germânio com outro metal. Nos transistores pnp, duas pelotas de índio, que formariam as ligações do emissor e do coletor no transistor completo, foram colocadas sobre os lados opostos de uma fatia de germâniomonocristalino do tipo n. A fatia de germânio, que formava a base, tinha aproximadamente 50 Pm de espessura. O conjunto inteiro era aquecido num gabarito ou modelo a uma temperatura de cerca de 500 °C, e parte do índio era dissolvida no germânio para formar germânio tipo p no resfriamento. Deste modo, duas junções pn eram formadas, conforme indicado na seção transversal simplificada na Figura 8.40.Os fios de ligação foram presos às pelotas de índio como fios condutores do emissor e do coletor, um tablete de níquel preso á base para proporcionar a ligação da base e montar o transistor sobre uma travessa, O transistor era depois encapsulado num invólucro de vidro ou de metal. Os transistores NPN eram fabricados por este processo usando germânio do tipo p para a base, e pelotas dechumbo-antimonio em vez de índio. O processo de junção por liga ainda é usado atualmente em alguns transistores de potência de audiofreqüência.

O desempenho de um transistor de junção por liga é limitado pela largura da base. Em particular, a freqüência de corte é inversamente proporcional á largura da base. Se o conjunto foi aquecido durante um tempo mais longo para permitir que mais índio se dissolvade modo que a junção pn penetre mais na fatia de germânio, há o risco de as junções se unirem e de não acorrer ação de transistor, Por causa da dificuldade de controlar a largura da base com, a precisão maior do que a da espessura da fatia original, a largura da base foi mantida em aproximadamente l0 Pm. Isto deu aos primeiros transistores de junção por liga uma freqüência de corte de cerca de 1MHz, embora os refinamentos feitos posteriormente no processo de fabricação permitissem que esta freqüência fosse aumentada para 5 ou 10 MHz.
Durante os anos de 1950, outros tipos de transistor foram desenvolvidos para superar as limitações do transistor tipo de junção por liga. Um destes foi o transistor de liga difundida. Neste, duas pelotas que formavam o emissor e a base foram ligados do...
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