Mosfet Depleção

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) alia a facilidade de acionamento dos MOSFET com as pequenas perdas em condução dos TBP. Sua velocidade de chaveamento é superior à dos transistores bipolares. Os limites atuais de tensão e corrente em dispositivos únicos estão em torno de 2kV e 1000A, o que indica que tal componente pode ser utilizado em aplicações de potência. O controle de componente é análogo ao do MOSFET, ou seja, pela aplicação de uma polarização entre gate e emissor.…

é controlada pela corrente de base. – Alta impedância de entrada: para que seja possível o controle de corrente do canal n é necessário que se produza uma polarização reversa das junções da porta, provocando desta forma um aumento na região de depleção destas junções e em decorrência disto um estreitamento do canal; com isto, têm-se baixas correntes de porta e consequentemente alta impedância. – Curvas características: o comportamento do JFET pode ser sumarizado por suas curvas de dreno e de

2.Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico Semicondutor (MOSFETs); 3.Transistor de Indução Estática (STIs); 4.Transistores Bipolares de Porta Isolada (IGBT). Estes transistores são considerados como chaves ideais em técnicas de conversão de potência. O chaveamento de um transistor é mais simples que o chaveamento de um tiristor por comutação forçada. Entretanto, a escolha entre um transistor bipolar e um MOSFET em um circuito de conversão não é óbvia, mas qualquer um deles…

dispositivos pJFET e MOSFET do tipo depleção, canais p e n. Dispositivos MOSFET do tipo enriquecimento exigem o emprego da técnica de polarização com divisor de tensão, devido ao princípio de operação peculiar daquela classe de dispositivos. Os diagramas de circuito normalmente 8 Série de Eletrônica utilizados para dispositivos MOSFET canal n e canal p, estão representados na Fig.4. Fig.4 Diagramas de circuito para estágios amplificadores baseados em dispositivos:(a) MOSFET canal n,…

2.2 Esquema de banda de um semicondutor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23 4.1 Esquema de uma junção NP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Grá…co da densidade de corrente em função da distância, na camada de depleção, para portadores negativos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3 Representação esquemática de um diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.4 Densidade de corrente para baixas tensões . . . . . . . . .

Amplificador Transistorizado Básico 12 16/10 Prática 9 – Características do Transistor JFET 13 23/10 Prática 10 – Circuito Amplificador com JFET 14 30/10 Prática 11 – Características do Transistor MOSFET 15 06/11 Prática 12 – Circuito Amplificador com MOSFET 16 13/11 Prática Substitutiva – aos alunos que deixaram de fazer alguma das aulas práticas, sem justificativa 17 20/11 Prova de Laboratório PL2 – frequência e matéria relativas…

2ª PARTE DIAC/ JFET/ GTO/ MOSFET O DIAC A estrutura está representada na Fig.a. É semelhante à de um transístor bipolar sem terminal de base. No entanto as duas zonas de tipo p têm concentrações de impurezas de substituição iguais, sendo o comportamento simétrico. Além disso, como em qualquer tiristor a base é longa e tem baixa condutividade. A Fig.b. representa a característica estacionária tensão-corrente de um DIAC. Não existe descontinuidade entre as zonas I e II, apresentando o

MOS-FET. Além do tipo portador (canal N ou P), existem diferenças em como o elemento de controle é construído (Junção vs Isolado), e esses dispositivos devem ser usados de formas diferentes. * (FETs e IGFETs de porta isolado são a mesma coisa que MOSFETs) O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome “efeito de campo” decorre do fato que…

Antônio Pinto Barúqui Departamento de eletrônica Escola Politécnica Universidade Federal do Rio de Janeiro Material não disponível para publicação Índice 1. Transistor MOSFET ........................................................................................................................ 5 1.1 MOSFET de Canal N .............................................................................................................. 5 1.1.1 Características DC…

da camada de depleção Observe que se forma um equilíbrio na região da junção, deixando de existir portadores majoritários (elétrons livres ou lacunas). Essa camada, chamada camada de depleção (sinônimo de diminuição), impede que se gere um equilíbrio completo entre os cristais P e N. Isto porque os elétrons do cristal N não encontram lacunas para se movimentar pela camada de depleção. O mesmo ocorre com as lacunas que ficaram isoladas no lado P. Ou seja, a camada de depleção é…