SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações industriais. Desde 1970, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e se tornaram disponíveis comercialmente. Estes dispositivos podem ser amplamente divididos em cinco tipos: os diodos de potência, os transistores, os transistores bipolares de junção de potência, os MOSFET’s de potência, os SIT’s (Static Induction Transistor) e os IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistor). Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à elevada impedância de entrada dos MOSFET’s, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos TBP (Transistores Bipolares de Potência). Sua velocidade de chaveamento é determinada, a princípio, pelas características mais lentas – as…

porta isolada - IGBTs Anderson Felix Resumo—Um transistor bipolar de porta isolada (do inglês insulated gate bipolar transistor - IGBT) combina as vantagens dos BJTs e MOSFETs. Um IGBT tem impedância de entrada elevada, como os MOSFETs, e baixas perdas em condução, como os BJTs. Mas não há o problema de ruptura secundária, como nos BJTs. Devido ao projeto e à estruturação da pastilha, a resistência equivalente do dreno para a fonte RDS é controlada para comportar-se como a de um BJT.…

ESTUDO APLICADO SOBRE TRANSISTORES TIPO MOSFET, SCR E IGBT RODRIGO BRANDÃO ALBANO, LEANDRO MENCK Universidade do Norte do Paraná ­ UNOPAR Programa de Graduação em Engenharia Elétrica R. Tietê, 1208 – Londrina/PR, Brasil ­ CEP 86025­230 E­mails: rodrigoalbano91@gmail.com,leandrotriel@hotmail.com Abstract ⎯ A bipolar junction transistor (BJT) is a NPN or PNP current control device in which currents are involved electrons and holes. It operates as…

Fontes de alimentação c.c.-c.a Transistores MosFet de Potência 1. O controle do transistor MosFet é feito aplicando-se uma tensão VGS > VTH para condução e VGS < VTH para bloqueio; 2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 4V; 3. A impedância de entrada de um transistor MosFet é muito elevada; 4. O MosFet de Potência é constituido de muitas células conectadas em paralelo; 5. A condução é feita por portadores majoritários; 6. A máxima tensão VGS é de +20V e a mínima é…

IGBT O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente são muito utilizados em equipamentos…

1.1.1. IGBT: Transistores Bipolares de Porta Isolada. Até 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações industriais. Desde 1970, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e se tornaram disponíveis comercialmente. Entre eles encontram-se os IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistor), assunto desta seção. Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à elevada…

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 1. O controle do transistor IGBT é feito aplicando-se uma tensão VGE > VTH para condução e VGE < VTH para bloqueio; 2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 5V; 3. A impedância de entrada de um transistor IGBT é muito elevada; 4. A condução é feita por portadores minoritários; 5. A máxima tensão VGE é de +20V e a mínima é de -20V; 6. Geralmente, o transistor IGBT é comandado com uma tensão de +15V para condução e uma…

Introdução O IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor) é um semicondutor e possui características de chaveamento como os transistores bipolares e alta impedância como os MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente, destacando-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Podendo ser analisado também como um MOSFET acionando um transistor bipolar. Fotografia de…

IGBT O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFET's apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos…

250 2200 600 Ultrarápidos UF4007 MUR840 BYT16P-400 RHRG30120 1000 400 400 1200 1 8 16 30 1,70 1,25 1,50 2,25 50 50 35 70 Schottky MBRD835L IN5822 STPS12045TV 35 40 45 8 3 60 0,41 0,52 0,67 16 •8 Diodos • Encapsulamentos 17 Diodos • Exemplo numérico: – Calcule a potência dissipada no diodo SKN20/08 se por ele circula uma corrente com valor médio de 10A e valor eficaz de 15A. A frequência de operação é 60Hz e o…