IGBT

IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor

1. O controle do transistor IGBT é feito aplicando-se uma tensão VGE > VTH para condução e VGE < VTH para bloqueio;
2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 5V;
3. A impedância de entrada de um transistor IGBT é muito elevada;
4. A condução é feita por portadores minoritários;
5. A máxima tensão VGE é de +20V e a mínima é de -20V;
6. Geralmente, o transistor IGBT é comandado com uma tensão de +15V para condução e uma tensão negativa menor que -5V para o bloqueio.
7. No processo de fabricação não aparece o diodo em anti-paralelo com o transistor. Quando presente, trata-se de um diodo com características compatíveis com os tempos de chaveamento do IGBT;
8. Há dois tipos construtivos de IGBT: PT (“Punch Through”) e NPT (“Non Punch Through”). Nos transistores do tipo NPT, o coeficiente de temperatura da queda de tensão VCE é positivo o que simplifica o paralelismo destes IGBTs;

Principais Características:
Possui características de transistor MosFet na entrada e de transistor Bipolar na saída;
O comando de um transistor IGBT é similar ao de um transistor Mosfet;

Os transistores NPN e PNP formam um tiristor parasita;
O diodo em anti-paralelo é incorporado no encapsulamento e é compatível com os tempos de comutação do IGBT.
Como a condução é feita por portadores minoritários, aparece uma cauda de corrente no momento do bloqueio do transistor IGBT.

MosFet x IGBT
MOSFET
1. Condução portadores majoritários
Menor queda de tensão
Nenhum atraso devido ao tempo de vida dos portadores
Conduz em ambas direções
Comportamento resistivo na condução
2. Diodo Intrinseco
Elevado tempo de recuperação
3. Boa capacidade de Avalanche. Não é a prova de curto-circuito
IGBT
1. Condução portadores minoritários
Maior queda de tensão
Saturação dinamica e cauda de corrente
Conduz apenas em um sentido
Comportamento não linear na condução
2. Ausência de diodo intrínseco
3. Não