Mosfet E Igbt

.................... 7 2.1.1 Transistores........................................................................................ 7 2. IGBT´s.............................................................................................. 8 3. IGCT´s........................................................................................ 8 4. MOSFET´s.................................................................................. 8 1. Utilização dos Inversores.......................

– Diode Alternative Current 4.4 SCS - Silicon Controlled Switch 4.5 TRIAC – Triode Alternating Current 4.6 Circuitos com Tiristores 4.7 GTO – Gate Turn-Off Tiristor 5. Componentes de Nova Tecnologia 5.1 MCT – MOS Controlled Tiristor 5.2 IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor 6. Conversor CA/C – Retificador 6.1 Retificador Monofásico de Meia Onda 6.2 Retificador Monofásico de Meia Onda, Controlado 6.3 Retificador Bifásico de Meia Onda 6.4 Retificador Monofásico de Onda…

ser adaptado para a operação com outros tipos de baterias, o que confere ao projeto uma flexibilidade e expansibilidade para aplicações e necessidades futuras. O trabalho aborda os aspectos necessários para o controle de transistores de chaveamento IGBT e os circuitos de condicionamento analógico para a aquisição de tensão e corrente necessários para o controle da carga. Considerando-se que a monografia trata de um projeto de hardware envolvendo eletrônica de potência com o chaveamento…

Dispositivos Eletrônicos SCR, IGBT e Transistores de Unijunção Introdução: Desde a invenção do primeiro tiristor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Para serem aplicados em sistemas de elevada potência e substituírem as rudimentares válvulas ignitron, phanotron e thyratron, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e elevadas tensões reversas em seu chaveamento.…

........................ 3 2.2. Transistor bipolar de junção (TJB) ............................................................... 5 2.3. Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) ......... 6 2.4. Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) ................................................... 7 2.5. Retificador controlado de silício (SCR) ........................................................ 8 2.6. TRIAC ........................

JFET? 62- Onde são utilizados os JFET´s? 63- Quais os nomes dos terminais de um JFET? 64- Quais os tipos de JFET´s? 65- O que é um MOSFET? 66- Onde são utilizados os MOSFET´s? 67- Quais os nomes dos terminais de um MOSFET? 68- Quais os tipos de MOSFET´s? 69- O que é um IGBT? 70- Onde são utilizados os IGBT´s? 71- Quais os nomes dos terminais de um IGBT? 72- O que é um Transformador de pulso? 73- Onde são utilizados os Transformadores de pulso? 74- O que são Acopladores Ópticos? 75-

potência, os SIT’s (Static Induction Transistor) e os IGBT’s (Insulated Gate Bipolar Transistor), assunto desta dissertação. Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à elevada impedância de entrada dos MOSFET’s, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. Os transistores bipolares de potência possuem características que permitem sua utilização no…

equipamento versátil e dinâmico. O avanço da Eletrônica de Potência permitiu o desenvolvimento de conversores de freqüência com dispositivos de estado sólido, inicialmente com tiristores e atualmente estamos na fase dos transistores, mais especificamente IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), ou transistor bipolar de porta isolada. Os cicloconversores antecederam de certa forma os atuais inversores, eles eram utilizados para converter 60Hz da rede em uma frequência mais baixa,…

Simbologia. • TIRISTOR IGCT: O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolarescom a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente

.......................... 16 3. CHAVES CONTROLÁVEIS ........................................................................ 18 3.1 GTO ....................................................................................................... 18 3.2 IGBT – Transistor Bipolar de Porta Isolada ........................................... 19 4. UJT .............................................................................................................. 24 4.1 Geradores de Pulsos:…