Mosfet E Igbt

Rectifier LASCR – Light Activeted SCR DIAC – Diode Alternative Current SCS - Silicon Controlled Switch TRIAC – Triode Alternating Current Circuitos com Tiristores GTO – Gate Turn-Off Tiristor Componentes de Nova Tecnologia MCT – MOS Controlled Tiristor IGBT – Insulated Gate Bipolar Transistor Conversor CA/CC – Retificador Retificador Monofásico de Meia Onda Retificador Monofásico de Meia Onda, Controlado Retificador Bifásico de Meia Onda Retificador Monofásico de Onda Completa…

26 5.3 Esquema elétrico do circuito com MOSFET ................................................... 27 5.3.1 MOSFET .......................................................................................................... 27 5.3.2 Esquema de ligação ......................................................................................... 27 5.4 Esquema elétrico do circuito com IGBT.......................................................... 28 5.4.1 IGBT ........................................

.......................................................... 13 2.5 – O Transistor Bipolar de Junção (BJT) .................................................................. 13 2.6 – Mosfet de Potência ................................................................................................. 15 2.7 – O IGBT ...................................................................................................................... 17 2.8 – Módulos de Potência ..................................

bloco responsável pela inversão do sinal retificado de corrente contínua em sinal alternado. Composto por circuitos IGBT, é o bloco Inversor o responsável direto pelo fornecimento da forma de onda PWM de saída do Conversor de Freqüência. Veja a figura abaixo. Descrição do processo PWM Senoidal. A forma de onda PWM é gerada através do chaveamento sincronizado dos circuitos IGBT, os quais são compostos por transistores montados no mesmo sentido de condução que, através de um sinal…

em triângulo (∆).A tensão na carga é proveniente de dois retificadores trifásicos de meia-onda, referenciados ao ponto deneutro “N”, resultando um valor positivo e outro negativo por fase. A diferença (tensão de linha) é a tensãoaplicada na carga. IGBT Até 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações industriais. Desde 1970, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos e se tornaram disponíveis…

GTO, que se combinam as vantagens dos dois semicondutores. Ele tem duas portas, uma normal e uma para ativá-lo com um MOSFET conectados em série para desligá-lo. A sua estrutura e o circuito equivalente mostrado na figura abaixo: A ativação é realizada por aplicação de tensões positivas para as portas 1 e 2, assim, o MOSFET canal P é mantido na condição de bloqueada e o MOSFET N-canal conduz, permitindo que a corrente flua para o portão de GTO. Esta corrente inicia o processo de…

com o desenvolvimento tecnológico e servem como uma ilustração para a verificação, numa primeira aproximação, das faixas de potência em que cada componente pode ser utilizado. Tensão Tiristores IGCT 5kV GTO e IGCT 4kV 3kV Corrente IGBT 2kV 1kHz TBP 10kHz 1kV MOSFET 100kHz 2kA 4kA 6kA 1MHz Freqüência Figura 1.1 Limites de operação de componentes semicondutores de potência. 1.1 Breve Revisão da Física de Semicondutores A passagem de corrente elétrica em um meio depende da…

transformador no circuito de entrada, que é volumoso e pesado. Interruptor Eletrônico: é um transistor operando em condição de corte e saturação. Apesar das primeiras fontes chaveadas usarem transistores bipolares, esses foram logo abandonados em favor dos MOSFETs, que operam em freqüência mais elevada com baixas perdas e permitem simplificar o circuito de chaveamento. Para evitar a produção de ruído audível, é necessário que a freqüência de chaveamento do interruptor eletrônico seja…

semicondutores de potência nos últimos anos, atualmente a maior parte dos inversores comerciais utilizam transistores IGBT, ficando os tiristores reservado ás aplicações de altíssima potência. Os transistores IGBT são muitos mais fáceis de comandar, pois sua características de entrada é a mesma de um MOSFET, ou seja, são dispositivos comandados por tensão. Além disso, os transistores IGBT são muito mais rápidos, permitindo a operação em freqüências mais elevadas com menores perdas. Já os…

utilizar dispositivos eletrônicos de controle de potência em acionamentos de equipamentos; • Analisar gráficos e interpretar curvas características dos dispositivos eletrônicos; CONHECIMENTOS: • Dispositivos retificadores (SCR, TRIAC, DIAC, UJT, IGBT) • Especificações e limitações de dispositivos semicondutores • Características de Gatilho e circuitos de disparo • Circuitos retificadores • Operação de conversores HISTÓRICO • Inicia-se em 1900 : Retificador a arco de mercúrio • Em…