diac

2ª PARTE

DIAC/ JFET/ GTO/ MOSFET

O DIAC
A estrutura está representada na Fig.a. É semelhante à de um transístor bipolar sem terminal de base. No entanto as duas zonas de tipo p têm concentrações de impurezas de substituição iguais, sendo o comportamento simétrico. Além disso, como em qualquer tiristor a base é longa e tem baixa condutividade.

A Fig.b. representa a característica estacionária tensão-corrente de um DIAC. Não existe descontinuidade entre as zonas I e II, apresentando o dispositivo na zona II uma resistência dinâmica negativa. Na zona I uma parte apreciável da tensãoU deve-se à queda de tensão de carácter óhmico UR = RI na base.

Fig.a. O DIAC – estrutura e símbolo

Fig. b. Característica estacionária tensão-corrente num DIAC

Ao atingir a tensão de limiar L U , a junção inversamente polarizada entra em disrupção por multiplicação em avalanche. Resulta uma injecção forte de portadores na base, o que faz baixar a sua resistência. É essa injecção forte de portadores que é responsável pela mobilidade diferencial negativa (ou, resistência diferencial negativa) da zona II da característica. Este dispositivo utiliza-se em circuitos de disparo da porta de outros tiristores.

Aspectos dinâmicos
Os aspectos dinâmicos estão associados aos processos de armazenamento e/ou remoção de portadores. São particularmente importantes nestes dispositivos que comutam entre duas situações associadas a um número de portadores muito diferente. Consideremos como exemplo o SCR.

Tempo para passagem à condução
Ao aplicar uma tensão à porta o efeito resultante não é instantâneo. Tem que se esperar que a junção J2 seja enriquecida. A Fig.c. mostra a variação no tempo de e . G A U I Designa-se por tempo de ligação L t (turn-on time, na designação anglo-saxónica) ao tempo durante o qual a tensão de porta se tem de manter para que a transição se efectue. Significa isto que se esse tempo não for respeitado, a comutação para a condução não se dá, voltando o