IBGT

IBGT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) O IBGT nada mais é do que a junção de dois transistores que é o transistor bipolar de potência mais o MOSFET’s. O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos Transistores Bipolares de Potência. Uma de suas principais característica é o fato de ser utilizado como uma chave, alternando os estados de condução e corte os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET. O fato da tensão sobe de maneira muito menos acentuada com o aumento da corrente O que acontece é que a resistência entre dreno e fone em condução é influenciada principalmente por uma região central pouco dopada, o que é essencial para se obter uma capacidade de bloqueio da tensão. Outra característica esta em sua estrutura Em sua estrutura possui duas estruturas básicas a primeira é denominada estrutura PT e a segunda NPT, que foi desenvolvida pela Siemens. A estrutura PT (Punch Through = socada através) tem camadas epitaxiais características e uma região N+ dopada (camada buffer) e uma região N- sobre um substrato dopado com polaridade p. O material de base da estrutura NPT (Non Punch Through) é um wafer homogêneo dopado com impurezas N-. Do lado de trás, uma camada p especialmente formada é criada durante o processamento do wafer. São componentes usados principalmente como comutadores em conversores de frequência, inversores, é outros…

Escola Politécnica de Minas Gerais IBGT Nome:kênia Curso: Mecatrônica Belo Horizonte, 22 de novembro de 2010 Introdução O IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor, ou transistor bipolar de porta isolada - é um componente semicondutor de potência, que possui como principais características: alta eficiência, rápida comutação e facilidade de acionamento.Atualmente ele é muito utilizado em inversores de…

I Db _ med = PO VO (3.11) A tensão de bloqueio do diodo Db é a própria tensão de barramento (400V), visto que a ondulação de tensão na saída é muito pequena. A metodologia de cálculo do interruptor mostrada, considera que será utilizado um interruptor do tipo MOSFET. O cálculo da corrente eficaz no interruptor principal é realizado através da expressão (3.12). I Sb _ ef = I in _ ef 2 3  2 ⋅ Vin _ min ⋅ I in _ ef  − ⋅  8  Vo  2 (3.12) Sabendo que:…

elaborados para atender às exigências de cada cliente e cada mercado. 2- Produto Máquinas de Solda uso industrial de grande e pequeno porte, usada para fazer reparos em trincas ou emendas de aços e derivados dos mesmos, mecanismo de montagem de estruturas metálicas que possibilitam a fixação de metais, uns aos outros, onde existem diversos tipos e modelos de máquinas para operações de soldagem como TIG, MIG, em sistemas de painéis industrias, tubulações de aço, serralharias e afins. …

Standards Organization (Organização Internacional de Padrões) ISS Imposto Sobre Serviços LABSOL Laboratório de Energia Solar LED Light Emitting Diode (Diodo Emissor de Luz) Li-ion Ion de Lítio LpT Programa Luz para Todos LSF Laboratório de Sistemas Fotovoltaicos LVD Low Voltage Disconnect (Desconexão por Baixa Tensão) MBE Molecular Beam Epitaxy (Epitaxia por Feixe Molecular) MCT Ministério da Ciência e Tecnologia (atual Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação -…