FET (Transistor de Efeito de Campo)

FET - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os transistores de Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, tem como características básicas e controle de uma corrente por um campo elétrico aplicado. A corrente flui entre os terminais chamado Supridouro - S, e Dreno - D, e o campo devido a uma tensão aplicada entre um terminal de controle, a porta "Gate" - G, e o supridouro. Este compartimento é análogo a das válvulas eletrônicas pentodo.
A vantagem prática dos FET's que os torna cada vez mais comuns, principalmente os MOSFET's, sua alta impedância de entrada, não é necessária praticamente nenhuma corrente de entrada na porta para o controle da corrente de dreno.
JFET

O primeiro FET desenvolvido foi o de junção, FET (Junction Field Efect Transistor). Há dois tipos: Canal N e Canal P.
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a região N (ou P) esta parte, estreita, é chamado canal, por influir a corrente controlada.

Estrutura do JFET canal N Obs.: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutores N e P

Note que em torno de um canal forma-se uma região de potencial na junção PN. Esta barreira restringe a área de condução de canal ao outro.

FUNCIONAMENTO

Na figura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte variável Ves, que controla a corrente do canal ID. Note que Ves, é na polarização reversa (- no gate P).
Inicialmente fazemos Ves = 0. O canal N está normalmente aberto, pois a barreira de potência é mínima, assim, circula uma corrente máxima chamado IDSS, característica do JFET para Vds.
Agora vamos aumentar Ves, fazendo que a largura da barreira de potencial aumente. Então a área de condução diminui, que diminui a corrente de dreno. O campo elétrico entre a porta e o supridouro repele elétrons ao canal, nas proximidades da junção e a corrente fica confinada ao centro, diminuindo. Este é o