Transistor efeito de campo

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* Introdução
* Desenvolvimento
* Conclusão
* Bibliografia

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Introdução

Neste trabalho vou falar sobre o transístor de efeito de campo, como funciona, as suas zonas de operações etc.

Começo por dizer que o FET é o acrónimo em inglês que significa (Field Effect Transistor) ou seja, Transístor de Efeito de Campo, que, como o próprio nome diz, funciona através doefeito de um campo eléctrico na junção. Ou seja é um dispositivo semicondutor cuja corrente de operação depende do campo eléctrico aplicado no seu terminal de controlo, diferentemente do transístor bipolar, cuja corrente que flui entre o emissor e o colector é controlada por corrente injectada no terminal base.

Este tipo de transístor tem muitas aplicações na área de amplificadores(operando na área linear), em chaves (operando fora da área linear) ou em controlo de corrente sobre uma carga. Os FETs têm como principal característica uma elevada impedância de entrada o que permite seu uso como adaptador de impedâncias podendo substituir transformadores em determinadas situações, além disso são usados para amplificar frequências altas com ganho superior ao dos transístores bipolares.Um transístor JFET é um componente unipolar (usa electrões ou lacunas).
Existem três eléctrodos num transístor JFET. Estes são: a fonte, a porta e o dreno.
Num transístor JFET a corrente flui da fonte para o dreno através de um canal. O transístor JFET é identificado pelo tipo de material semicondutor em seu canal.
Num transístor JFET com canal N, a porta é negativa e o dreno é positivocom relação à fonte.
Transístores JFET com canal P são normalmente operados com a porta positiva e o dreno negativo. (As tensões são fornecidas com relação á tensão da fonte.)
Um transístor JFET é um componente operado por tensão (igual a uma válvula a vácuo)



Desenvolvimento

Historial
Os FETs foram inventados por Julius Edgar Lilienfeld em 1926 e por Oskar Heil em 1934.Sua ideia era controlar a condutividade de um material, por um campo eléctrico transversal; mas o sistema proposto por Lilenfeld não funcionaria na prática
Em 1960 John Atalla desenvolveu o MOSFET baseado nas teorias de William Shockley sobre o efeito de campo.
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O FET é conhecido como transístor unipolar porque a condução de corrente acontece por apenas um tipo de portador (electrão ou lacuna),dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome “efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controlo do componente é baseado no campo eléctrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controlo. O Transístor JFET recebe este nome porque é um transístor FET de Junção.
A sigla JFET significa Junction fíeld Effect Transístor (transístor de junção com efeito de campo).E um tipo unipolar de transístor. Este nome deriva do fato de que a maioria dos portadores de cargas fluindo através do Transístor são ou somente electrões (corno no caso do transístor JFET com canal N) ou apenas lacunas (como no caso do transístor JFET com canal P).



A figura 01 apresenta um JFET de canal n (existe também o JFET de canal p). Seudiagrama construtivo simplificado representa uma “barra” de silício semicondutor tipo n (semicondutor dopado com impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo p. O JFET da figura 01 tem as seguintes partes constituintes:

FONTE: (source) fornece os electrões livres, DRENO: Drena os electrões,
PORTA: (gate) controla a largura do canal, controlando o fluxo dos electrões entre a fonte e odreno. As regiões p da porta são interligadas electricamente.
Ainda observando a figura 01, a seta apontando para dentro representa uma junção PN de um doido.
O JFET de canal P tem as mesmas partes constituintes de um JFET de canal n, porém seu símbolo apresenta a seta em sentido contrário, e as correntes e tensões são consideradas invertidas em relação ao JFET de canal n.
Electrónica...
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