Mosfet De Depleção Vantagem Vgs 0

cociente entre o número de espiras Uma das consequências da coincidência parcial entre os enrolamentos do primário e do secundário é a perda de isolamento galvânico entre as bobinas. No entanto, o auto-transformador apresenta um vasto conjunto de vantagens face aos transformadores comuns, designadamente no que respeita ao seu custo (um único enrolamento e, em certos casos, com condutores de menor secção), ao volume, à queda de tensão e ao rendimento (menores perdas nos…

Utiliza semicondutores de potencia e microeletrônica Controle de sistemas de aquecimento Controle de luminosidade Fontes de alimentação Principais interruptores em eletrônica de potencia • • • • Diodos de potencia Transistores de potencia (BPT, IGBT) MOSFETs de potencia Tiristores (SCR, TRIAC, DIAC) 5 3 - Diodo Há vários diodos desenvolvidos especificamente para suportar as demandas de alta potencia e alta temperatura de algumas aplicações. O emprego mais freqüente de diodos de…

.................................................. 171 EA 09: Características do BJT – JFET – MOSFET ................................................... 177 Curva característica de BJT ............................................................................. 177 Curva característica de JFET........................................................................... 181 Curva característica de MOSFET .................................................................... 185 3…

Estruturas Retificadoras – Anos 30; • Tiristor – Grande evolução: • Laboratório Bell, 1956; • Comercializado pela GE, 1958; • Anos 70 – diodos, Transistores de potência e GTO; • Anos 80 – MOSFET e IGBT; • Anos 90 – Encapsulamento de Potência. Os tiristores de um modo geral apresentam 2,3 ou terminais e podem ser unidirecionais ou bidirecionais. Classificação dos Tiristores - SCR (Silicon…

migram para o lado P. Este processo ocorre até que haja o equilíbrio eletrônico e a estabilidade química, ou seja, 4 ligações covalentes em cada átomo. Durante o processo de recombinação forma-se, próximo à junção, a camada de depleção. Ao final deste processo, a camada de depleção fica ionizada formando a barreira de potencial (Vγ) ou zona vazia. Isto ocorre quando nenhuma diferença de potencial é aplicada ao diodo, ou seja, os elétrons do material tipo-N preenchem os buracos do…

silício do tipo N entre duas camadas de silício do tipo P, ou uma camada P entre duas camadas N. Com a formação das três regiões, aparecem automaticamente duas outras pequenas regiões internas, já conhecidas como barreira de potencial ou região de depleção. As barreiras de potencial são campos eletrostáticos formados nas linhas de junção, e possuem grande quantidade de portadores positivos e o elemento N grande quantidade de portadores negativos. A difusão de elétrons da região N e…

ideais são: - ganho diferencial (Ad) → ∞ (não é função da freqüência) - ganho de modo comum (ACM) → 0 - impedâncias de entrada (Rid e Ricm) → ∞ - impedância de saída (Ro) → 0 1 - “slew sate”(SR) → ∞ - largura de banda (BW) → ∞ - corrente polarização (Ib) → 0 - corrente de “offset” (Ios) → 0 - tensão de “offset” (Vos) → 0 - ruído elétrico (VN e IN) → 0 - variação de fase (φ) → 0 - rejeição de modo comum (CMRR) → ∞ 1.4 Símbolo: O símbolo mais comumente utilizado para…

a haste. CONJUNTO A B C PTOTAL kW 50 60 80 PDEMANDA kW 25 45 75 No instante (t) em que ocorre a demanda máxima da instalação, estão funcionando simultaneamente os conjuntos B e C, com as respectivas demandas PDEMANDA(t): PDEMANDA (t) kW 0 45 50 CONJUNTO A B C A demanda máxima (dmax) e o fator de demanda(fd) da instalação como um todo são respectivamente: a) dmax b) dmax c) dmax d) dmax e) dmax = 150 kW, fd = 0,63 = 190 kW, fd = 0,63 = 95 kW, fd = 1,0 = 190 kW, fd = 0,5 = 95 kW,