Tecnicas digitais

TÓPICOS ABORDADOS

CAPÍTULO 6 - TRANSISTOR DE JUNÇÃO

CAPÍTULO 7 - ESTABILIZAÇÃO DA POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR

CAPÍTULO 8 - AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

CAPÍTULO 9 - OSCILADORES TRANSISTORIZADOS

CAPÍTULO 10 - TRANSISTORES ESPECIAIS

CAPÍTULO 11 - CIRCUITOS INTEGRADOS

CAPÍTULO 12 – SENSORES

CAPÍTULO 13 - REGULADORES DE TENSÃO

CAPÍTULO 14 - DIODOS ESPECIAIS

CAPÍTULO 15 – DECIBÉIS

CAPÍTULO 16 - AMPLIADORES OPERACIONAIS

TÓPICOS ABORDADOS

CAPÍTULO 6 - TRANSISTOR DE JUNÇÃO

CAPÍTULO 7 - ESTABILIZAÇÃO DA POLARIZAÇÃO DO TRANSISTOR

CAPÍTULO 8 - AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS

CAPÍTULO 9 - OSCILADORES TRANSISTORIZADOS

CAPÍTULO 10 - TRANSISTORES ESPECIAIS

CAPÍTULO 11 - CIRCUITOS INTEGRADOS

CAPÍTULO 12 – SENSORES

CAPÍTULO 13 - REGULADORES DE TENSÃO

CAPÍTULO 14 - DIODOS ESPECIAIS

CAPÍTULO 15 – DECIBÉIS

CAPÍTULO 16 - AMPLIADORES OPERACIONAIS

CAPÍTULO 6

TRANSISTOR DE JUNÇÃO

É um dispositivo que pode executar a função de uma válvula eletrônica, como amplificador de corrente.

FORMAÇÃO DAS JUNÇÕES PNP E NPN

Um transistor de junção consiste em um cristal de silício ou de germânio no qual existe uma camada de silício do tipo N entre duas camadas de silício do tipo P, ou uma camada P entre duas camadas N.

Com a formação das três regiões, aparecem automaticamente duas outras pequenas regiões internas, já conhecidas como barreira de potencial ou região de depleção.

As barreiras de potencial são campos eletrostáticos formados nas linhas de junção, e possuem grande quantidade de portadores positivos e o elemento N grande quantidade de portadores negativos. A difusão de elétrons da região N e lacunas das regiões P resultam em recombinações nas linhas das junções, ionizando os átomos das impurezas.

Os átomos ionizados com cargas diferentes (negativos na região P, porque recebem elétrons, e positivos na região N, porque doavam elétrons), formam um campo eletrostático que paralisa o processo de difusão.