Mosfet

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS BJT Bipolar Junction Transistor CA Corrente Alternada CC Corrente Contínua DAC Conversor Digital-Analógico GTO Gate Turn-Off IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor MOSFET Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor PWM Pulse Width Modulation RC Resistor-Capacitor TTL Transistor-Transistor Logic MR Master Reset LISTA DE FIGURAS Figura 1.1 – Estrutura básica do inversor trifásico de tensão [2] 15 Figura 1.2 – Inversor trifásico de…

chaveamento foi utilizado o MOSFET tipo N modelo IRF640 ( ). Este componente suporta correntes de até 18A e tensões entre drain e source de até 400V, além de possuir uma queda de tensão entre gate e source de 20V, uma resistência entre drain e source de 0,15Ω e uma tensão de gatilho de 3V. Possui ainda tempo de chaveamento mínimo de 85ns e tempo de recuperação reversa de 240ns (FAIRCHILD, 2002). Considerando-se , e , chega-se a e . A fonte pulsada foi inserida ao gate do MOSFET, com…

RTL ­ lógica resistor­transistor (obsoleta) DTL ­ Lógica diodo­transistor (obsoleta) DCTL ­ Lógica transistor acoplamento direto TTL ­ Lógica transistor­transistor (mais popular) ECL ­ Lógica emissor­acoplado MOS – Semicondutor Oxido de Metal: PMOS ­ Lógica MOSFETs de canal­p (obsoleta) NMOS ­ Lógica MOSFETs de canal­n  DESENVOLVIMENTO 2.1­PARÂMETROS DE TENSÃO E CORRENTE VIH (mínimo) – Tensão de Entrada Correspondente ao Nível…

transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Devido a seu projeto que permite rápido chaveamento (liga/desliga), encontra aplicação também em amplificadores e geradores que necessitam sintetizar formas de onda complexa através de PWM e filtros passa-baixa. Basicamente, o IGBT pode ser analisado também como um mosfet acionando um transistor…

estratégia de chaveamento com onda quadrada e chaveamento PWM e compare os resultados obtidos. Pede-se: Formas de onda da tensão e corrente na carga para cada caso. THD da corrente e da tensão para cada caso. Distribuição harmônica para cada caso. Usar MOSFET como chave semicondutora de potência. Os parâmetros do PWM ficam a gosto, lembrando que a fundamental deve ser de 60Hz. É importante que antes de ser iniciado o trabalho proposto em si, que é simular um inversor…

certa folga para que os transistores não trabalhem no limite. Um nível lógico alto entre 3 e 15 V aplicado na entrada faz com que o enrolamento correspondente a cada etapa seja energizado. d) Circuito com MOSFETs de potência Os transistores de efeito de campo de potência MOS ou Power-MOSFETs são componentes largamente empregados em controles de potência com elevado rendimento. Esses transistores se caracterizam pelo fato de que, quando em plena condução, apresentam uma resistência muito…

uso do díodo de roda-livre em paralelo com a bobina do relé. [pic] 2.1.4. Circuito de interface com transistor FET Os transístores de Potência MOSFET podem ser utilizados em vez dos pares Darlington para accionamento de dispositivos de média potência. O circuito a utilizar é o da figura. Repare-se no uso do díodo de roda-livre. Os MOSFETs apresentam uma resistência interna muito baixa (décimas de ohm), pelo que a queda de tensão no transístor é muito reduzida. [pic] 2.2.…

chaves S1 e S2 assim como as chaves S3 e S4 não podem ser ligadas ao mesmo tempo, pois podem gerar um curto circuito. Para construção da ponte H pode ser utilizado qualquer tipo de componente que simule uma chave liga-desliga como transistores, relés, MOSFETs. Para que o circuito elétrico fique protegido, é aconselhável que sejam configuradas portas lógicas com componentes 7408 e 7406 a fim de que nunca ocorram as situações de curto circuito descritas acima. Para evitar possíveis…

Componentes Eletrônicos Especiais......................................................................74 10.1 JFET..............................................................................................................................74 10.2 MOSFET.......................................................................................................................76 10.3…

bidireccionais em tensão e em corrente, o que significa que devem ser capazes de conduzir e de bloquear em ambos sentidos. Uma vez que não existem tais componentes, eles devem ser realizados a partir da associação de outros como, por exemplo, dois MOSFETs, ou dois transistores e dois díodos, como também mostra a figura. Em ambos arranjos ilustrados, o sinal de comando pode ser único, entrando em condução o transistor que estiver directamente polarizado. O problema da comutação pode…