IBGT

IBGT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)
O IBGT nada mais é do que a junção de dois transistores que é o transistor bipolar de potência mais o MOSFET’s. O IGBT reúne a facilidade de acionamento dos MOSFET’s e sua elevada impedância de entrada com as pequenas perdas em condução dos Transistores Bipolares de Potência.
Uma de suas principais característica é o fato de ser utilizado como uma chave, alternando os estados de condução e corte os quais são controlados pela tensão de porta, assim como em um MOSFET.
O fato da tensão sobe de maneira muito menos acentuada com o aumento da corrente O que acontece é que a resistência entre dreno e fone em condução é influenciada principalmente por uma região central pouco dopada, o que é essencial para se obter uma capacidade de bloqueio da tensão.
Outra característica esta em sua estrutura

Em sua estrutura possui duas estruturas básicas a primeira é denominada estrutura PT e a segunda NPT, que foi desenvolvida pela Siemens. A estrutura PT (Punch Through = socada através) tem camadas epitaxiais características e uma região N+ dopada (camada buffer) e uma região N- sobre um substrato dopado com polaridade p. O material de base da estrutura NPT (Non Punch Through) é um wafer homogêneo dopado com impurezas N-. Do lado de trás, uma camada p especialmente formada é criada durante o processamento do wafer.
São componentes usados principalmente como comutadores em conversores de frequência, inversores, é outros Nestas aplicações normalmente uma carga indutiva é ligada e desligada, podendo com isso aparecer tensões inversas elevadas contras as quais o dispositivo deve ser protegido. Esta proteção é feita com o uso de diodos.