IBGT IBGT

Escola Politécnica de Minas Gerais

IBGT

Nome:kênia
Curso: Mecatrônica

Belo Horizonte, 22 de novembro de 2010

Introdução
O IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor, ou transistor bipolar de porta isolada - é um componente semicondutor de potência, que possui como principais características: alta eficiência, rápida comutação e facilidade de acionamento.Atualmente ele é muito utilizado em inversores de frequência e fontes chaveadas de alta potência, além de ter aplicação em carros híbridos ou elétricos, popularizando cada vez mais o seu uso emeletrônica embarcada e de consumo, em detrimento dos MOSFETS.O IGBT alia as caracteristicas de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância os Mosfets. Assim, ele apresenta as facilidades de chaveamento dos Fets, por ser acionado por tensãoe não ter a dependência de uma alta corrente de base para sua polarização, e suporta maiores potências que os fets, assim como apresenta uma baixa tensão de saturação.Basicamente, o IGBT pode ser analizado como um mosfet acionando um transistor bipolar. Este arranjo apresenta um tiristor parasita, que ´normalmente é ignorado devido ao avanço tecnologico realizado na construção do componente, que não apresenta mais este inconveniente.

IBGT
O IGBT é um dispositivo semicondutor de quatro camadas alternadas (PNPN) que são controladas por um semicondutor de óxido metálico (MOS) estrutura do portão sem ação regenerativa. Esse modo de operação foi primeiramente proposto por Yamagami em seu japonês 21.739 patentes S47, que foi arquivado em 1968. Este modo de funcionamento foi descoberto experimentalmente por B. Jayant Baliga em estruturas verticais dispositivo com um sulco porta-região V e relatados na literatura em 1979. A estrutura do dispositivo foi referido como um 'groove dispositivo MOSFET-V com a região de drenagem substituída por um tipo p ânodo Região "neste documento e, posteriormente, como o