Transistors bjt

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|Universidade Tecnológica Federal do Paraná |[pic] |
|Eletrônica A | |
|Relatório do Laboratório N° ||
| | |


Turma: 5CP
Grupo: DENISSON VARGAS, GEANCARLOS MARTINI


30/03/2013
Prática laboratório
Eletrônica A – Transistor BJT

1. Resumo

Nessa prática de eletrônica A, o objetivo era ver o comportamento dos transistores 2N2222(PNP) e 2N2907 (NPN) aplicados em alguns circuitos como mostra as figuras ... Após a montagem de cada circuito, com o auxilio do multímetro era necessário medir a tensão na base (Vb), tensão no coletor (Vc), tensão no emissor (Ve) e tensão no coletor-emissor (Vce) e compara-las com os cálculos, para ver se os resultados certamente eram próximo do medico com o instrumento.

2. Instrumentos eMateriais

Utilizamos de uma Fonte de alimentação Dawer DC – mod. FSCC-3003D,um multímetro digital Icel MD-6510, dois transistores, o 2N2222 (tipo NPN) e o 2N2907(tipo PNP), oito resistores (330K Ω, 680 Ω, 100 Ω, 270K Ω, 10K Ω, 3K9 Ω, 2K2 Ω, 1K Ω).

3. Modelo

O transistor de Junção Bipolar (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (Base,Coletor e Emissor), separados por duas junções p-n. A junção p-n entre a base e o emissor tem uma tensão de barreira de 0,6 V, que é um parâmetro importante do BJT.
Existem dois tipos de BJT’s, o PNP que consiste em duas regiões P separadas por uma região N e o NPN contem duas regiões N separadas por uma região P, que estão demonstrados nas figuras abaixo:
[pic]
Figura 1- Esquema de umtransistor do tipo NPN
[pic]
Figura 2 – Esquema de um transistor do tipo PNP

4. Resultados
Com os circuitos montados pode-se fazer a medição e os cálculos que foram pedidos na pratica. Os resultados foram mostrados com o transistor 2N2222 e transistor 2N2907, foram obtidos seguintes valores:


| |Real |Comercial |Medido|
|Transistor |2N2222 |2N2907 |2N2222 |2N2907 |2N2222 |2N2907 |
|Ib |34,68µA |-34,42µA |34.24µA |-34,2 µA |X |X |
|Ic |7,63mA |-5,82mA |7.53mA |-5,75 mA |X |X |
|Ie |7,63mA|-5,85mA |7.49mA |-5,92 mA |X |X |
|Vce |6,12V |-8,11V |6,06V |-8,12V |6,89V |-8,05V |
|Vb |0,7V |0,6V |0,7V |-0,68V |0,64V |-0,68V |
|Ve |0V |0V |0V |0V|0V |0V |


Tabela 1 – Valores obtidos no primeiro circuito




| |Real |Comercial |Medido |
|Transistor |2N2222 |2N2907 |2N2222 |2N2907 |2N2222 |2N2907 |
|Ib |32,48µA |-32,86µA |34.24µA|-32,75µA |X |X |
|Ic |7,49mA |-5,38mA |7.53mA |-5,42mA |X |X |
|Ie |7,49mA |-5,42mA |7.49mA |-5,45mA |X |X |
|Vce |6,31V |-7,74V |6,13V |-7,72V |6,17V |-7,79V |...
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