Transistor bjt

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Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

O transistor de junção bipolar (BJT)
E n p n
Colector

C

• Bipolar – dois tipos de cargas, electrões e buracos, envolvidos nos fluxos de corrente • Junção – duas junções pn. Junção base/emissor e junção base/colector

Emissor

B
Base

E

C p n p
Colector

• Tipos – tipos NPN e PNP. • Terminais – Base, Emissor e ColectorEmissor

B

• Símbolos -

Base

NPN
Base

Colector

PNP
Base

Emissor

Emissor

Colector

Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores

Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD

E
n

Injecção de electrões

C
p n

Injecção deburacos

iE iC • A junção Emissor/Base é directamente iB B polarizada • A junção Base/Colector é inversamente polarizada VCB VBE • A espessura da região da base é tipicamente 150 vezes inferior à espessura do dispositivo. • E de portadores minoritários • A polarização directa da junção (buracos) da base para o emissor base/emissor causa um fluxo de portadores maioritários (electrões) da • A somadestes dois fluxos conduz à corrente de emissor IE. região n para a região p.

Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores

Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

Fluxos de corrente num transistor npn operando na ZAD
• O transistor é construído de tal forma que praticamente toda a corrente é constituídapelo fluxo de electrões do emissor para a base. A região do emissor é muito mais fortemente dopada do que a região da base. • A região da base é muito fina comparada com a espessura das regiões do emissor e do colector. Os electrões que fluem do emissor para a base, atravessam esta região e são atraídos para o colector,

E
n

Injecção de electrões

C
p n

Injecção de buracos

iE

iBVBE

B

iC

VCB

antes de haver tempo para a recombinação com os buracos na base. A corrente no colector é da mesma ordem de grandeza da corrente no emissor.

Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores

Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

Fluxos de corrente num transistor pnp operando na ZADE
p

Injecção de buracos

C
n p

Injecção de electrões

• O transistor PNP opera de forma semelhante ao descrito para o transistor NPN • A tensão VEB polariza directamente a junção EB. A tensão VBC polariza inversamente a junção CB.

iE

iB
VEB

B

iC

VBC

• No transistor PNP as correntes são sobretudo devidas a correntes de buracos. • As correntes de difusão de electrõeslivres da base para o emissor são muito pequenas em comparação com as correntes de buracos em sentido contrário. • A região do emissor, tal como no transistor NPN, é muito mais fortemente dopada do que a região da base. A espessura da base é muita pequena em comparação com as dimensões do dispositivo.
Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores
LuísVeríssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

Transistor de junção bipolar (BJT)
C
vCB iC vCE iE iB vBE

(convenções)
vEB

E
iE vEC iC iB vBC

B

B

E

C

NPN

PNP

• Os sentidos de referência adoptados para tensões e correntes aos terminais do transistor são escolhidos de tal modo que, para o funcionamento na zona activa directa, as correntessão positivas. • O funcionamento dos dois tipos de transistores é muito semelhante; quando se passa de um para outro, todos os resultados se mantêm se se trocarem os sentidos das tensões e correntes.
Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores
Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002

Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE)

Transistor de junção...
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