Relatório de experiência com transistores

4

IESAM – Instituto de Estudos Superiores
Atividade de Eletrônica Analógica – 3º Ano de Eng. Elétrica

Professor: Kleiber Tenorio.

Alunos,
JARDEL GONÇALVES CASTRO DE SOUSA
JOÃO BATISTA FERREIRA DE CARVALHO
OZINILDA DO SOCORRO VIEIRA NACIF
RAFAEL ANGELIN SILVA

Relatório de experiência com transistores

5

1 INTRODUÇÃO
O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três
Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A
Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V 0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a
Corrente é produzida apenas por um único tipo de Portador de Cargas (Electrões ou Lacunas), no TJB
(BJT) a Corrente é produzida por ambos os tipos de Portadores de Cargas (Electrões e Lacunas), daí a origem do nome Bipolar.

Figura 1 - Transístor de Junção Bipolar
Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas Regiões n separadas por uma Região p. O Tipo pnp consiste em duas Regiões p separadas por uma Região n. As Figuras 2 e 3 representam os seus respectivos símbolos esquemáticos. A explicação seguinte refere-se ao TJB (BJT) npn, que é utilizado nesta Demonstração.

Figura 2 - Símbolo esquemático de um TJB, npn

6

Figura 3 - Símbolo esquemático de um TJB, pnp
O transístor consiste em duas junções pn, a junção emissor-base (JEB) e a junção coletor-base
(JCB, habitualmente designadas simplesmente junção de emissor e junção de coletor. Dependendo da condição de polarização (direta ou inversa) de cada uma das junções, obtêm-se diferentens modos de funcionamento do transístor (SEDRA, 2000), como se mostra na Tabela 1.
Tabela 1 – Modos de funcionamento dependendo da condição de polarização
Modo de funcionamento

Polarização JEB

Polarização JCB

Corte

Inversa

Inversa

Ativo

Direta

Inversa