Diodos

|Universidade Tecnológica Federal do Paraná |[pic] |
|Eletrônica A | |
|Relatório do Laboratório N° | |
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Turma: 5CP
Grupo:

30/03/2013
Prática laboratório
Eletrônica A – Transistor BJT

1. Resumo

Nessa prática de eletrônica A, o objetivo era ver o comportamento dos transistores 2N2222 (PNP) e 2N2907 (NPN) aplicados em alguns circuitos como mostra as figuras ... Após a montagem de cada circuito, com o auxilio do multímetro era necessário medir a tensão na base (Vb), tensão no coletor (Vc), tensão no emissor (Ve) e tensão no coletor-emissor (Vce) e compara-las com os cálculos, para ver se os resultados certamente eram próximo do medico com o instrumento.

2. Instrumentos e Materiais

Utilizamos de uma Fonte de alimentação Dawer DC – mod. FSCC-3003D,um multímetro digital Icel MD-6510, dois transistores, o 2N2222 (tipo NPN) e o 2N2907(tipo PNP), oito resistores (330K Ω, 680 Ω, 100 Ω, 270K Ω, 10K Ω, 3K9 Ω, 2K2 Ω, 1K Ω).

3. Modelo

O transistor de Junção Bipolar (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separados por duas junções p-n. A junção p-n entre a base e o emissor tem uma tensão de barreira de 0,6 V, que é um parâmetro importante do BJT. Existem dois tipos de BJT’s, o PNP que consiste em duas regiões P separadas por uma região N e o NPN contem duas regiões N separadas por uma região P, que estão demonstrados nas figuras abaixo:
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Figura 1- Esquema de um transistor do tipo NPN
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Figura 2 –