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Arquitetura de Computadores
Aula 11
Carlos André Guerra Fonseca

Arquitetura de Computadores
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Memória principal semicondutora;
Correção de erro;
DRAM síncrona;
DDR-SDRAM.

Memória principal semicondutora
• Célula de memória:
– Elemento básico de uma memória semicondutora.
– Propriedades:
• Apresenta dois estados estáveis (ou semiestáveis), que podem ser usados para representar o binário 1 e 0;
• São capazes de ser escritas (pelo menos uma vez), para definir o estado; e
• São capazes de ser lidas, para verificar o estado.

Memória principal semicondutora
• Célula de memória:
– Normalmente tem três terminais funcionais capazes de transportar um sinal elétrico.
• Terminal seleção:
– Seleciona uma célula de memória para uma operação de leitura ou escrita. • Terminal de controle:
– Indica leitura ou escrita.

• Escrita:
– Outro terminal fornece um sinal elétrico que define o estado da célula como 1 ou 0.

• Leitura:
– O terminal é usado para a saída do estado da célula.

Memória principal semicondutora
• Célula de memória:
– Normalmente tem três terminais funcionais capazes de transportar um sinal elétrico.

Memória principal semicondutora
• Memória RAM:
– Dados são lidos e escritos de modo fácil e rápido.
– Tanto a leitura quanto a escrita são realizadas por meio de sinais elétricos.
– É volátil:
• Precisa de uma fonte de alimentação constante.
• Se a energia for interrompida, os dados serão perdidos.
• Só pode ser usada como armazenamento temporário.

– Tipos: DRAM e SRAM.

Memória principal semicondutora
• RAM Dinâmica (DRAM):
– É feita com células que armazenam dados como carga em capacitores. – A presença ou ausência de carga em um capacitor é interpretada como um binário 1 ou 0.
– Como os capacitores possuem uma tendência natural para descarga, as DRAM exigem recarga periódica para manter o dado armazenado.
– O termo dinâmica refere-se a essa tendência de perda de
carga