analise de circuitos

2502 palavras 11 páginas
1

Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica

Semicondutores
Díodo de junção PN

Análise de Circuitos com Díodos

Característica V-I
Modelos lineares por troços díodo ideal díodo ideal com fonte de tensão díodo ideal com fonte de tensão e resistência

Teresa Mendes de Almeida

Análise de circuitos com díodos
Circuitos lógicos
Circuitos limitadores
Díodo Zener
Circuitos rectificadores e detector de pico
Exemplos de aplicação

TeresaMAlmeida@ist.utl.pt

DEEC
Área Científica de Electrónica

© T.M.Almeida
ACElectrónica

IST-DEECAbril de 2011

3

Semicondutores
Dispositivos electrónicos modernos

© T.M.Almeida

tem propriedades eléctricas especiais mecanismo de circulação das cargas não pode ser explicado como nos condutores/isoladores não é um bom condutor de corrente eléctrica (como o Cu ou o Al) não é um isolante (como a borracha ou o plástico) capacidade de formar cristais com propriedades eléctricas especiais cada átomo partilha 4 electrões de valência com átomos vizinhos estrutura entrelaçada (ligações covalentes) muito estável → cristal corrente eléctrica: movimento de electrões e de lacunas
TCFE Análise de Circuitos com Díodos

TCFE Análise de Circuitos com Díodos

Abril de 2011

4

Intrínseco (puro) lacunas - criadas por electrões que se libertam das ligações covalentes nº de lacunas = nº electrões livres ni = pi
Exemplo (TA)
Si: ni = pi = 1,5× 1019 portadores/m3
Ge: ni = pi = 2,4× 1019 portadores/m3 condutor de Cu: ni = pi = 8,4 × 1028 portadores/m3

Material Semicondutor

IST-DEEC-ACElectrónica

IST-DEEC-ACElectrónica

Semicondutores

circuitos integrados, díodos, transístores produzidos com materiais semicondutores
Silício (Si)
← o mais utilizado
Germânio (Ge)

© T.M.Almeida

2

Matéria

Abril de 2011

Extrínseco (impuro) equilíbrio entre nº de portadores é deliberadamente alterado introduzidos átomos de impurezas no cristal (grupos III e V)

n × p = ni2 =

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