Capitulo 7 Polarização Dos Transistores Bipolares

Semicondutores I Meta deste capítulo objetivos Capítulo Revisar componentes semicondutores e apresentar características novas relacionadas à eletrônica de potência. • Revisar diodos semicondutores; • Estudar diodos de potência; • Testar diodos semicondutores; • Introduzir ao estudo de tiristores; • Identificar diferentes modelos de tiristores; • Testar tiristores; • Realizar ensaios com diodos e tiristores. Pré-requisitos Não há pré-requisitos para este capítulo.…

83 Verificar o funcionamento do diodo Zener 87 Curva Característica do diodo Zener 99 Diodo Zener como regulador de tensão 103 Testar trasistor Bipolar 115 Características do transistor bipolar 119 Polarização de Transistor 133 Verificar o funcionamento do transistor Bipolar 143 Transistor como chave 153 Estabilizadores 161 Verificar o funcionamento de fonte regulada 167 Sumário Eletrônica Analógica - Prática Teste de diodos

UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Faculdade de Engenharia Elétrica Ciência e Tecnologia dos Materiais CAPÍTULO IV MATERIAIS SEMICONDUTORES Um dos triunfos das teorias cinética e atômica é sua capacidade de dar conta de quase todas as propriedades físicas da matéria, explicando, por exemplo, por que alguns materiais são bons condutores de calor, enquanto outros não o são. Existe uma classe intermediária de substâncias, chamadas semicondutores, que possuem um nível de condutividade…

intensidade do campo elétrico em um ponto situado a uma distância de 30cm de uma carga de +60C. R: 6. Qual seria a intensidade e sentido da força em uma carga de -50C submetida ao campo calculado na questão anterior? R : 7. Calcule a intensidade da força entre as cargas citadas nas questões anteriores, agora sem calcular a intensidade de campo. POTENCIAL ELÉTRICO E TENSÃO ELÉTRICA Considerando-se uma carga produtora de campo elétrico, o…

amplificador operacional ideal apresenta impedância de entrada infinita. Os amplificadores operacionais reais, entretanto, apresentam correntes C.C. de polarização em suas entradas. Essas correntes são geralmente devidas às correntes de base dos transistores bipolares de entrada do amplificador operacional ou ainda correntes de fuga da porta do transistor de efeito de campo em amplificadores dotados de FETs à entrada. Como, na prática, os dispositivos simétricos de entrada não são…

.......... 4 1.3 Primeiro circuito eléctrico ............................................................................................................................... 7 1.3.1 Teoria das bandas de energia (parte 1) ......................................................................................................... 7 1.3.2 Corrente eléctrica ......................................................................................................................................... 8…

TALITHA NICOLETTI ESTUDO DA RESISTÊNCIA SÉRIE DE FONTE E DRENO DE TRANSISTORES SOI FinFETs DE PORTA TRIPLA E COM CANAL TENSIONADO São Paulo 2009 TALITHA NICOLETTI ESTUDO DA RESISTÊNCIA SÉRIE DE FONTE E DRENO DE TRANSISTORES SOI FinFETs DE PORTA TRIPLA E COM CANAL TENSIONADO Dissertação apresentada à Escola Politécnica da Universidade de São Paulo para obtenção do título de Mestre em Engenharia Área de concentração: Microeletrônica Orientador: Prof. Dr. João…

UNIVERSIDADE FEDERAL DE UBERLÂNDIA Faculdade de Engenharia Elétrica 2011 ÍNDICE CAPÍTULO I 2 PROPRIEDADES GERAIS DOS MATERIAIS 2 1.1 Introdução 2 1.2 Ligações Químicas (Revisão) 3 1.2.1 Ligação Iônica 4 1.2.2 Ligação Covalente 5 1.2.3 Ligação Metálica 6 1.2.4 Ligações Secundárias 6 1.3 Propriedades Físicas 6 1.3.1 Massa, volume e densidade 6 1.3.2 Estado Físico 7 1.4 Propriedades Elétricas 8 1.4.1 Condutividade e Resistividade Elétrica 8 a) Condução nos…

são: - ganho diferencial (Ad) → ∞ (não é função da freqüência) - ganho de modo comum (ACM) → 0 - impedâncias de entrada (Rid e Ricm) → ∞ - impedância de saída (Ro) → 0 1 - “slew sate”(SR) → ∞ - largura de banda (BW) → ∞ - corrente polarização (Ib) → 0 - corrente de “offset” (Ios) → 0 - tensão de “offset” (Vos) → 0 - ruído elétrico (VN e IN) → 0 - variação de fase (φ) → 0 - rejeição de modo comum (CMRR) → ∞ 1.4 Símbolo: O símbolo mais comumente utilizado para…

átomos da estrutura, produzirão novos portadores, os quais, também acelerados, produzirão um efeito de avalanche. Dado o aumento na corrente, sem redução significativa na tensão na junção, produz-se um pico de potência que destrói o componente. Uma polarização direta leva ao estreitamento da região de transição e à redução da barreira de potencial. Quando a tensão aplicada superar o valor natural da barreira, cerca de 0,7V para diodos de Si, os portadores negativos do lado N serão…