dfsdf

Páginas: 2 (288 palavras) Publicado: 16 de novembro de 2014
Nome :
RA:
Turma : Professor(a): Lisandro Martins da Silva
Componente Curricular: Eletrônica
Curso: EngenhariaMecânica
ESTE TRABALHO DEVE SER REALIZADO INDIVIDUALMENTE, DEVENDO SER ENVIADO POR EMAIL, ATÉ ÀS 10 HORAS DESTE SÁBADO, DIA 11.10.2014.
O TRABALHO QUE FOR ENVIADO APÓS ÀS 10HORAS, ISSO QUER DIZER A PARTIR DAS 10 HORAS E 01 MINUTO, SERÁ DESCONTADO 1,0 PONTO.SENDO A CADA HORA EXCEDENTE AO PRAZO DESCONTADO 1,0 PONTO SUCESSIVAMENTE.
(0,5 ponto)1) Para a configuração de polarização por divisor de tensão do circuito abaixo, determine, IBQ, ICQ, VCEQ, VC, VE e VB:



(0,5 ponto) 2) Dadas as informações dafigura abaixo, determine, β, VCC e RB:



(0,5 ponto) 3) Determinar RC, RE , RB1 e RB2 para a polarização do transistor de Si, para o circuito abaixo, com os seguintesdados: PDRC = 42 mW; PDRE = 9 mW; IC = 3 mA; β ≥ 120; VCE = 5 V.



(1,0 ponto) 4) Determinar RB1, RB2, RC, RE , VCE e VCC para a polarização do transistor de Ge, docircuito abaixo, com os seguintes dados: PDRC = 32 mW; PDRE = 8 mW; β ≥ 150; IC = 4 mA; PCmáx = VCE x IC = 16 mW ( Potência máxima dissipada no transistor).



(0,5 ponto)5) Determinar RB, RC e RE para a polarização do transistor de Si, e ainda as potências dissipadas em RB e RE, para o circuito abaixo com os seguintes dados: VCC =18V, VCE= 9V, IB = 25µA e β = 75.

(0,5 ponto) 6) Dado o circuito abaixo, calcule a tensão de pico e a corrente eficaz na carga (R) de 10Ω, sabendo que a tensão no primário é de120V e no secundário 12V + 12V;



(0,5 ponto) 7) Dado o circuito abaixo, calcule a IZ(máxima), IZ(mínima), PZ(máxima), PZ(mínima), PR(máxima) e PR(mínima):
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