Transistor Mosfet

MOSFET DE POTÊNCIA 2014 1. INTRODUÇÃO AOS TRANSISTORES DE POTÊNCIA Até 1970, os tiristores convencionais foram exclusivamente usados para o controle de potência em aplicações, desde então, vários tipos de dispositivos semicondutores de potência foram desenvolvidos. Estes dispositivos podem ser amplamente divididos em cinco tipos: os diodos de potência, os tiristores, os transistores bipolares de junção de potência, os MOSFET’s de potência, os SIT’s (Static

Effect Transistor) – Transistor de Efeito de Campo - JFET 1.1 – História 05 1.2 – Funcionamentos do FET 05 1.3 – Compreensão 06 1.4 – Características mais Importantes do JFET 07 1.5 – Princípios de Funcionamento 07 1.6 – Polarização e Reta de Carga 08 1.7 – Considerações Gerais 09 1.8 – Transcondutâncias Gm 11 1.9 – Considerações Gerais 11 1.10 – Curvas de Transcondutância 12 1.11 – Aplicações 13 2 – MOSFET 2.1 – Constituição Interna e Funcionamento 16 2.2 –…

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente…

Transistores Bipolares de porta isolada - IGBTs Anderson Felix Resumo—Um transistor bipolar de porta isolada (do inglês insulated gate bipolar transistor - IGBT) combina as vantagens dos BJTs e MOSFETs. Um IGBT tem impedância de entrada elevada, como os MOSFETs, e baixas perdas em condução, como os BJTs. Mas não há o problema de ruptura secundária, como nos BJTs. Devido ao projeto e à estruturação da pastilha, a resistência equivalente do dreno para a fonte RDS é controlada para comportar-se

ELÉTRICA Dispositivos Eletrônicos SÉRIE DE EXERCÍCIO #7 (1) Em um transistor MOSFET, canal N tipo enriquecimento, circula uma corrente de dreno ID = 6mA quando se aplica uma tensão VGS entre a porta (Gate) e a fonte (Source) igual a 8V. Considerando que a tensão de threshold Vt = 3V. (a) Qual deverá ser corrente de dreno se o ponto de operação for modificado para VGS=6V? (b) Determine o valor da constante K para este transistor. (c) Qual deve ser o valor da tensão de polarização VGS…

INFORMATICA TRANSISTORES UNIPOLARES MOSFET & TRANSISTORES BIPOLARES (NPN e PNP) Disciplina: Tópicos Especiais I Professor: Ernani Liberali Academico: Eduardo Gewehr Ibirubá 2013 Sumário 1. INTRODUÇÃO 3 2. TRANSISTORES UNIPOLARES MOSFET 4 2.1 O QUE SÃO 4 2.2 FUNCIONAMENTO 4 2.3 APLICAÇÕES 5 2.4 COMO TESTAR UM MOSFET 5 3. TRANSISTORES BIPOLARES (NPN e PNP) 6 3.1 O QUE SÃO 6 3.2 FUNCIONAMENTO 7 3.3 APLICAÇÕES 8 3.4 COMO TESTAR UM TRANSISTOR…

I. INTRODUÇÃO O Transistor de potência é um transistor que trabalha com a maior quantidade de energia de um circuito. São, geralmente, transistores de saída e transistores chaveadores, pois os mesmos consomem a maior parte da energia de um circuito. Nesse trabalho serão vistos os tipos de Transistores de Potência. II. DESENVOLVIMENTO II.I SCR SCR (do inglês Silicon Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silício) é um componente…

MOSFET • • • • • • MOSFET tipo depleção (MOSFET-D) Curvas do MOSFET-D Amplificadores com MOSFET-D MOSFET tipo intensificação (MOSFET-E) Curvas de Dreno Tensão Porta-Fonte máxima Fábio Makihara – 710921 Gustavo de Carvalho Bertoli – 610992 Luís Gustavo Fazzio Barbin – 712418 Luiza Pio Costa da Silva – 712001 Maurício Ayres de Araujo – 712396 Sumário Introdução...................................................................................................3…

Danilo e Marco Túlio. Prática No. 1 Transistores em comutação (saturação/corte) Objetivos ●Observar o comportamento de um transistor bipolar (2N2222A) e de um MOSFET (CD4007) nas condições estáticas e dinâmica; ● Avaliar a qualidade da saturação quando, nos terminais de controle, são aplicadas correntes ou tensões que são capazes de levar estes transistores a condição de saturação; ● Avaliar o quão próximo de um curto-circuito estes transistores tornam-se pelos valores de VCE e…

Transistores4 Transistores bipolares de junção de potencia (BJT)5 Curvas características volt-ampere do BJT5 Polarização de um transistor6 Teste de um transistor8 Velocidades de chaveamento.................................................................................................................................9 Ligações série-paralelo de transistores..................................................................................................................9…