Microinformática

Universidade Federal de Minas Gerais
Colégio Técnico

Micro informática Professor: Alberto
Alunos: Erica Andrade, Jheisson Danilo e Marco Túlio.
Prática No. 1

Transistores em comutação (saturação/corte)

Objetivos
●Observar o comportamento de um transistor bipolar (2N2222A) e de um MOSFET (CD4007) nas condições estáticas e dinâmica;
● Avaliar a qualidade da saturação quando, nos terminais de controle, são aplicadas correntes ou tensões que são capazes de levar estes transistores a condição de saturação;
● Avaliar o quão próximo de um curto-circuito estes transistores tornam-se pelos valores de VCE e VDS medidos conforme a tensão aplicada é variada.
● Avaliar os fatores que interferem na velocidade da comutação dos transistores bipolares e do MOSFET;
Introdução Teórica
Os transistores bipolares são capazes de controlar a corrente de um circuito.
As extremidades de um transistor bipolar são chamadas de emissor e coletor, já a central é chamada de base. O emissor é fortemente dopado, logo, é capaz de emitir elétrons. A base tem uma dopagem média e não consegue absorver todos os elétrons emitidos pelo emissor. Já o coletor tem uma dopagem levíssima e é responsável pela coleta de elétrons vindos do emissor.
Abaixo, temos uma imagem que mostra os aspectos construtivos e os símbolos elétricos de transistores. Perceba que há dois tipos:

Figura 1: Transistores bipolares.
O primeiro transistor da figura é chamado NPN e o segundo PNP.
Entre os lados P e N existem barreiras de potencial.
O transistor MOSFET é o tipo mais comum de transistores de efeito de campo. Ele é unipolar, uma vez que, ao contrário dos transistores bipolares, dependem somente de um tipo de carga: lacunas ou elétrons. Normalmente, possuem três terminais: Porta, Fonte e Dreno (Source, Gate and Drain). Existem dois tipos essenciais: o canal N e o canal P, que se diferenciam basicamente pela polarização. Abaixo temos uma imagem com o símbolo