Transistor Mosfet

IZENILTO FARIAS DE OLIVEIRA JÚNIOR JOÃO HENRIQUE DE CASTRO BARBOSA JOHNNY FERREIRA DE JESUS REGIANE DA SILVA PEREIRA ELETROTÉCNICA IB TIPOS DE TRANSISTORES – PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS GRUPO 3 SÃO MATEUS – ES 2013 INTRODUÇÃO Como tudo no mundo, a evolução move de maneira impactante e considerável o universo tecnológico que vivemos. O transistor, inventado em 1947, causou um desenvolvimento para tecnologia mundial e possibilitou a criação de equipamentos importantes para…

IGBT O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente são muito utilizados em equipamentos…

IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 1. O controle do transistor IGBT é feito aplicando-se uma tensão VGE > VTH para condução e VGE < VTH para bloqueio; 2. A tensão de “threshold” VTH é da ordem de uns 3V a 5V; 3. A impedância de entrada de um transistor IGBT é muito elevada; 4. A condução é feita por portadores minoritários; 5. A máxima tensão VGE é de +20V e a mínima é de -20V; 6. Geralmente, o transistor IGBT é comandado com uma tensão de +15V para condução e uma…

Trabalho _MOS COMPLEMENTAR(CMOS) _AMPIFICADOR COM MOSFET-E _AMPLIFICADOR POLARIZADO COM REALIMENTAÇÃO DE DRENO UNESP- Bauru- Faculdade de Engenharia Professor responsável: Prof. Alceu Ferreira Alves BRUNO TOMAZELA KLEBER ALEXANDRE MAZETO ROSSI LUCAS ANTONIO SIQUEIRA PADUA NATASSIA GONÇALVES SANTOS NATHALIA CRISTINA VIEIRA DE S. OLIVEIRA Engenharia Elétrica Turma 2312A Bauru, 11 de novembro de 2008. 710903 710873 711977 611051 711195 Inversor CMOS Esse…

Experimento 5 Transistor MOSFET LABORATÓRIO DE DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS Guia de Experimentos Experimento 5 – Características e Aplicações de Transistores de Efeito de Campo (FET) Objetivo Os experimentos de laboratório aqui apresentados têm por objetivo familiarizar-se com o estudo das características básicas do transistor de efeito de campo (MOSFET) e iniciar a exploração de algumas de suas aplicações fundamentais (amplificadores, portas lógicas). Introdução Teórica…

Introdução Esse trabalho trata sobre transistores de efeito de campo (Field effect transistor - FET, do inglês), especificamente sobre os do tipo metal-oxido-semicondutor-MOS onde há ligação das siglas inglesa, e conhecida por MOSFET. O trabalho começa com uma descrição comparativa detalhada da construção física e das características do MOSFET, comparando seus dois tipos: de enriquecimento e de depleção. Em seguida apresenta circuitos que se utilizam de Mofes e discute suas aplicações…

INTRODUÇÃO A eletrônica de potência trata das aplicações de dispositivos semicondutores de potência, como tiristores e transistores, na conversão e no controle de energia elétrica em níveis altos de potência aplicados à indústria. Essa conversão é normalmente de AC para DC ou vice-versa, enquanto os parâmetros controlados são tensão, corrente e frequência. Portanto, a eletrônica de potência pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve três campos básicos: a…

Transistor como chave Um transistor pode operar em três regiões distintas: região corte, região ativa e região de saturação. Na região ativa, o transistor é utilizado, com a devida polarização, como amplificador. Nas regiões de corte e saturação, é utilizado como chave, ou seja, serve apenas para comutação, conduzindo ou não. Nesta situação, o transistor é utilizado, principalmente, no campo da eletrônica digital, sendo célula básica de uma série de dispositivos, normalmente agrupados…

distribuído em capítulos com intuito de uma melhor visualização dos assuntos trabalhados, conforme podemos ver a seguir: Capítulo 01 - INTRODUÇÃO Capítulo 02 – TRAC Capítulo 03 – DIAC Capítulo 04 – FET Capítulo 05 – SCR Capítulo 06 – TRANSISTOR Capítulo 07 – MOSFET Capítulo 08 – IGBT Capítulo 09 – DIODO DE POTÊNCIA Capítulo 10 – GTO Capítulo 11 – IGCT Capítulo 12 – MCT Capítulo 13 – CONCLUSÃO Capitulo 14 - BIBLIOGRAFIAS 2. TRIAC Se…

Sumário Trabalho sobre MOSFET MOSFET Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925. O MOSFET ou simplesmente FET (MOS = metal-oxide semiconductor - metal óxido semicondutor e FET = field effect transistor - transistor de efeito de campo), é um tipo de transistor, componente usado como chave ou amplificador de sinais elétricos. Aplicações: -Rádios para automóveis; -Aparelhos de áudio…