Tipos De Impureza Eletronica

tornam especiais. As propriedades elétricas desses materiais são extremamente sensíveis à presença de impurezas, mesmo em muito pequenas concentrações. Os semicondutores intrínsecos são aqueles nos quais o comportamento elétrico está baseado na estrutura eletrônica inerente do material puro, mas quando as características elétricas são determinadas por átomos de impurezas, o semicondutor é extrínseco. A dopagem é um processo químico no qual átomos estranhos são…

possuem um nível de condutividade entre os extremos de um isolante e um condutor. Desta forma, são melhores condutores do que os isolantes de eletricidade, mas não tão bons condutores como o cobre. Tais materiais se mostram extremamente úteis para a eletrônica. Dessa forma, abordaremos neste trabalho alguns conceitos teóricos dos materiais semicondutores e, daremos um destaque na sua utilização em células fotovoltaicas. 2.…

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 3 SEMICONDUÇÃO EM TERMOS DE BANDA 4 TIPOS DE DOPAGEM 5 CRISTAL TIPO N 6 CRISTAL TIPO P 6 INFLUÊNCIA DA TEMPERATURA NOS SEMICONDUTORES 8 APLICAÇÃO DOS SEMICONDUTORES 8 CONCLUSÃO 9 REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA 10 INTRODUÇÃO Materiais são constituídos por átomos, os quais são constituídos de núcleo e eletrosfera. No núcleo encontram-se os prótons e os nêutrons, enquanto que na eletrosfera encontram-se os elétrons, distribuídos em diversas camadas ou níveis. O numero de…

ALUNO: Antonio Mendoça PROF: CAROLINA O processo de dopagem do material tipo N e P O conceito de semicondutor intrínseco está relacionado ao cristal que, não - intencionalmente, possui não MAIS de um átomo de elemento químico estranho para cada um bilhão de átomos do material escolhido. O teor de impureza, neste caso, é chamado 1ppb, ou uma PARTE por bilhão. A interferência da impureza não é suficiente par interferir na estabilidade do material, sendo o…

variação de temperatura, exposição a luz e acréscimos de impurezas. IV A Si Ge Silício Monocristalino: estrutura regular homogênea, ligações covalentes, quimicamente estável. No estado puro, forma intrínseca, é um mal condutor à temperatura ambiente e isolante a baixas temperaturas. O aumento da temperatura aumenta a vibração dos átomo e rompe a rede de ligações, promovendo a formação de elétrons livres e lacunas. Dopagem: formação do cristal tipo n, inserção de átomos pentavalente,…

Ensino de Física da Universidade Federal de Santa Maria Sólidos Cristalinos Iônicos Nos sólidos cristalinos iônicos, a rede é formada por íons alternadamente positivos e negativos, resultantes da transferência de um (ou mais de um) elétron de um tipo de átomo para o outro. A estabilidade da rede cristalina é mantida pela atração eletrostática entre os íons presentes, tais como os íons Na+ e Cl− na molécula de cloreto de sódio (NaCl, Fig.1) e os íons Li+ e F− na molécula de…

elétrica do silício intrínseco a 150 ºC (423,15 K). Nesta temperatura, ni = 4∙1019 m-3; µe = 0,06 m2/Vs; µb = 0,022 m2/Vs. 3) Átomos de arsênio na proporção de 1023 m-3 são adicionados ao silício de alta pureza. Determine: a. Esse material é do tipo n ou do tipo p? b. Calcule a condutividade elétrica desse material a temperatura ambiente, sabendo que o silício é extrínseco. Nesta condição, µe = 0,07 m2/Vs. c. Calcule a condutividade elétrica a 100 ºC (373,15 K). Para esta…

INTRÍNSECOS ....................................................................... 14 SEMICONDUTORES EXTRÍNSECOS ..................................................................... 14 DOPAGEM COM IMPUREZAS TRIVALENTES ....................................................... 14 DOPAGEM COM IMPUREZAS PENTAVALENTES ................................................. 15 ISOLANTES…

compostos simplesmente de átomos idênticos situados em sítios idênticos, sobre uma rede tridimensional regularmente repetitiva. Eles contêm defeitos ou imperfeições, das quais as que mais interrompem a regularidade da estrutura são as da rede espacial. Os tipos de defeitos podem ser definidos como:· Defeitos pontuais: irregularidades que se estendem sobre somente alguns átomos (defeitos adimensionais - dimensão zero), podendo ser lacunas, intersticiais ou substitucionais; Defeitos…

baixa que não existe aplicação prática para o mesmo. Uma maneira de aumentar a condutividade de um cristal de silício é introduzindo átomos de impureza. A Dopagem de um semicondutor consiste em introduzir no cristal, átomos de impurezas. O objetivo da dopagem é aumentar a condutividade do cristal. Um semicondutor dopado com átomos de impurezas é um semicondutor extrínseco. Semicondutor TipoN: É um semicondutor que recebeu átomos pentavalentes, ou seja, átomos que possuem…