Semicondutores

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Exercícios de Semicondutores

S – Microelectronic Circuits, Sedra/Smith, quarta edição

1. (S3.10) Calcule a densidade intrínseca de portadores num cristal de silício às temperaturas de 250K,300K e 350K.

Solução: [pic] [pic] [pic]

2. (S3.11) Considere um cristal de silício dopado com impurezas tipo dador com [pic]. Determine a concentração de electrões e de lacunas àstemperaturas de 250K, 300K e 350k: Utilize os resultados do exercício anterior.

Solução: [pic];[pic] [pic] [pic]

3. (S3.12) Obtenha o valor da resistividade de,

a. Silício intrínseco puro

b.Silício dopado tipo-p com [pic]

Utilize [pic], [pic] [pic] para silício intrínseco, e [pic] [pic] para silício dopado.

Solução: a) [pic] b) [pic]

4. (S3.32) Dado um semicondutortipo-n com um perfil de impurezas representado na figura, determine o valor da corrente de difusão. Assuma [pic]. [pic] é a concentração lacunas no cristal em equilíbrio com [pic], para 300K.

[pic]Solução: [pic]

5. (S3.34) Calcule a o fluxo de corrente numa barra de Silício com um comprimento de [pic] e com uma secção transversal de área [pic], para uma tensão aplicada de 1V com umadensidade de electrões de [pic] e de lacunas de [pic].

Solução: [pic]

6. (S3.35) Numa barra de Silício dopado com impurezas dadoras, de [pic], determine qual deve ser a concentração de dadoresde forma a obter-mos uma densidade de corrente de [pic] em resposta a um campo aplicado de 0.5V. Utilize o valor da mobilidade dos electrões para Silício puro.

Solução: [pic]

7. (S3.36) Numasecção de silício dopada com impurezas dadoras (fósforo) com uma concentração de [pic], determine a concentração de electrões livres e de lacunas nas temperaturas de 300K e 400K.

Solução: 300K- [pic]

400K - [pic]

8. Sabendo que a resistividade do cobre é de [pic] qual é a relação desta com a resistividade de um semicondutor tipo-n, com [pic]?

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