Mosfet

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• Transistores de Efeito de Campo (FETS)
Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do dispositivo origina-se de seu pricípio de operação. O controle é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo de semicondutor de óxido metálico), é, de longe, o tipo mais comum de transistores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos.

• Símbolo

Canal N (NMOS)

Canal P (PMOS)

• Função – Controlar a corrente elétrica que passa por ele.
ID função de VGS
ID

D
G
+
VGS

S
-

• Construção
Fonte (S)

Porta (G)

Dreno (D)

Óxido (SiO2)

n+

Região de canal p

Corpo (B)

Geralmente o terminal corpo (B) é ligado a fonte (S).

n+

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• Criação do canal
Considere a figura a seguir:

VGS
(S)

+

Canal n induzido -

(G)

(D)

n+

n+ p (B)

Região de depleção

A tensão VGS, em um primeiro momento, faz as lacunas livres da região do substrato sob a porta serem repelidas, deixando uma região de depleção. A tensão positiva sob a porta atrai elétrons das regiões n+ da fonte e do dreno para a região do canal. Quando elétrons suficientes estiverem sob a porta, o canal estará formado ligando a fonte ao dreno. O valor mínimo de VGS para se formar o canal é chamado de tensão de limiar (threshold) ou Vt.

• Operação do transistor
A operação de um MOSFET pode ser dividida em três diferentes regiões, dependendo das tensões aplicadas sobre seus terminais. Para o MOSFET canal n:
•

Região de Corte: quando VGS < Vt, onde VGS é a tensão entre a porta (gate) e a fonte (source). O transistor permanece desligado, e não há condução entre o dreno e a