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Análise de Amplificadores de Pequenos Sinais a Transistor Bipolar de Junção
Departamento de Engenharia Industrial Elétrica

Yure Souza

03/2013

Análise de Amplificadores de Pequenos Sinais a Transistor Bipolar de Junção
Departamento de Engenharia Industrial Elétrica

Relatório II Unidade

Salvador/BA
03/2013
1.0 Introdução

A análise das formas de ondas é um fator importanteno estudo do comportamento do circuito. Este relatório descreve a simulação análise de pequenos sinais a transistor bipolar de junção com o auxílio do software de simulação de circuitos Multisim.

2.0 Objetivo
O experimento tem como objetivo a simulação e análise dos parâmetros do amplificador de pequenos sinais a TBJ ambiente Multisim, a fim de fazer uma comparação entre os resultadosteóricos obtidos e a simulação. Tem também como objetivo observar o comportamento dos circuitos com a alteração de parâmetros.

3.0 Metodologia
Foi montado um circuito amplificador TBJ no Multisim inicialmente sem carga ligada a saída como pode ser mostrado na figura 1. A simulação teve como primeiro passo a obtenção de alguns parâmetros e firmas de ondas do circuito como veremos logo a seguir.Para isto foram utilizadas algumas ferramentas do Multisim como voltímetros, amperímetros, osciloscópio e outros.

Figura 1- Amplificador de pequenos sinais a TBJ
4.0 Resultados e discursão

Como primeiro resultado obteve-se as características de entrada e de saída do TBJ e a determinação do ponto quiescente. Para obtenção deste parâmetro foi traçada as curvas para correntes de baseconstante e a reta de carga. Observol-se então uma diferença entre o ponto de operação dado pelo cruzamento da curva e a reta de carga com o ponto que o circuito simulado realmente indica. Esta divergência se deu pelas diferente tensões no coletor emissor (Vce), que pode ser observada na figura 2.

Figura 2- Pontos de operação

Para efeitos quantitativos foi calculado o desvio relativo a Vceatravés dos seguintes cálculos.
Erro relativo=VCEc-VCEtVCEc [Equação 1]
Em que: VCEc= Tensão coletor emissor calculado
VCEt= Tensão coletor emissor teórico
Assim temos o seguinte cálculos.

Erro relativo=10.252-9.5710.252

Numa segunda etapa de obtenção de características do circuitoforam plotados as formas de ondas de tensão e corrente na entrada e saída do amplificador. Estas formas de ondas representadas pelas figuras 4 e 5 são muito importantes para a obtenção de outros parâmetros e verificar alguns efeitos causados por componentes contidos no circuito. Para a plotagem da forma de onda da tensão utilizou-se de um osciloscópio com dois canais, o canal A ligado na entrada(terminal V1 na figura 1) e o canal B na saída (terminal V2 na figura 1). Já para a obtenção da forma de onda da corrente utilizou-se a ferramenta current probe, que foi ligada aos canais do osciloscópio como indicado na figura 3.

Figura 3- circuito para plotagem dos sinais de corrente de entrada e saída

Figura 4- Forma de onda da tensão de entrada (vermelho) e saída (azul)
Ao observar aforma de onda das tensões verifica-se que tanto a onda de entrada quanto a de saída não representam senóides perfeitas e também há uma defasagem entre as duas, este efeito se dá pela presença do capacitor na entrada do circuito.

Figura 5 – Forma de onda de corrente de entrada (vermelho) e saída (azul)
Observam-se novamente as mesmas questões das formas de ondas de tensão nas ondas de corrente.Adiante parâmetros de amplitude e defasagem vão ser quantificados para a análise.
Na mesma figura que representa as formas de onda de tensão de entrada e saída foi possível realizar algumas medições. Posicionado então o cursor do osciloscópio nas cristas das ondas, foi possível medir a amplitude dos sinais e também através de alguns cálculos obter a defasagem entre os sinais. A fim de comparar...
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