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Eletrônica
“Polarização de um transistor de junção bipolar por divisão de tensão”

Nome: André Julio Pires Afonso Turma: 598108 UFCD 6035 [CBT5.1] Nome de Formador: Fernando Oliveira

Índice (Index)
Historia...........................................................................................................................................................4 Objetivo doTrabalho.....................................................................................................................................5 Materiais e Ferramentas Usados (Tools and Materials)............................................................................6 Medições efectuadas (Measurements)........................................................................................................6Esquematica (Schematic).............................................................................................................................7 Conclusão (Conclusion)...............................................................................................................................7

Historia O transístor de junção bipolar foi o primeiro tipo de transistor a ser produzido 1. O nometransistor foi derivado de suas propriedades intrínsecas "resistor de transferência", em inglês: (TRANsfer reSISTOR). Os Laboratórios Bell mantiveram essa descoberta em segredo até junho de 1948 2 (daí a confusão com as datas de descobrimento). Operação O Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Colector eEmissor), separadas por duas Junções p-n. Existem dois Tipos de TsJB (BJTs): npn e pnp. O Tipo npn consiste em duas regiões n separadas por uma região p. O tipo pnp consiste em duas regiões p separadas por uma região n3. O transistor é construído de tal forma que praticamente toda a corrente é constituída pelo fluxo de electrões do emissor para a base. A região do emissor é muito mais fortemente dopadado que a região da base4. O TJB é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma tensão de barreira (V0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB5. O TJB (BJT) opera em três modos diferentes: modo de Corte, modo de Amplificação Linear e modo de Saturação, Figura 4. A figura seguinteé um sumário dos três modos de operação do TJB (BJT) npn.

1 http://pt.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_jun%C3%A7%C3%A3o_bipolar 2 http://www.bn.com.br/radios-antigos/semicond.htm 3Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE), Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores, Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002,http://ltodi.est.ips.pt/beirante/electronica1/Acet_BJT.pdf 4Departamento de Engenharia Electrotécnica (DEE), Electrónica II - Cursos de Engª Electrotécnica e Engª de Electrónica e Computadores, Luís Veríssimo, Fevereiro de 2002, http://ltodi.est.ips.pt/beirante/electronica1/Acet_BJT.pdf 5“Como Funciona um Transístor de Junção Bipolar, TJB (BJT) npn,”http://macao.communications.museum/por/exhibition/secondfloor/moreinfo/2_10_3_HowTransistorWorks.html

History
The bipolar junction transistor is the first type of transistor to be produced. The name was derived from transistor intrinsic properties "TRANSfer resISTOR", in English: (transfer resistor). Bell Labs kept the discovery secret until June 1948 (hence the confusion with the dates of discovery).

Operation
The Bipolar Junction Transistor, BJT is a semiconductor device, comprisingthree regions of doped semiconductor (base, collector and emitter) separated by two pn junctions. There are two types BJTs: npn and pnp. The npn type consists of two regions separated by a region of n p. The pnp type consisting of two p regions separated by a region n. The transistor is constructed such that practically all of the current is constituted by the flow of electrons from emitter to...
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