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Relatório 1:
(pesquisa sobre processos de produção de laminas de silício e seus principais produtores).

Aluno: Matheus Carvalho Cardoso
Matricula: 1122113GELT

Laminas de Silício.

Obter um lingote de silício pode levar um mês ou uma semana, dependendo de alguns fatores como, tamanho, qualidade e especificações.
Mais de 75% de toda lamina de cristal de silício são obtidas através do método Czochralski (CZ). O lingote CZ é formado por pequenos pedaços de
Silício Poli cristalino. O processo consiste em derreter o Silício Poli cristalino (pc­Si) num reator, sob atmosfera controlada e em temperatura na ordem de 1500ºC.
Nesse, adiciona­se elementos dopantes ou impurezas, com quantidades controladas e necessárias para a formação de um material com características semicondutoras, denominados de material tipo­N ou tipo­P. Os elementos normalmente utilizados como dopantes para formação do material tipo­N é o Fósforo (P), ou o Arsênio (As), ou o Antimônio (Sb), etc., e os elementos dopantes para formação do material do tipo­P normalmente é o Boro (B), ou o Alumínio (Al), ou o Gálio (Ga). Uma amostra do cristal que se deseja obter semente de Silício Mono cristalino ­ (mc­Si) é mergulhada no cadinho contendo Silício Poli cristalino (pc­Si) derretido e essa semente é levantada lentamente numa velocidade na ordem de cm/hora, e em movimentos rotatórios. No Silício derretido, seus átomos se cristalizam em torno da semente e estende uma estrutura em formato de lingote com orientação cristalina igual a da semente, porém com diâmetro que depende dos fatores de temperatura, da velocidade de elevação e rotação da semente e da velocidade de rotação do cadinho. Já estendido e formado o lingote de Silício, este é fatiado em finos discos, formando as laminas (ou wafers) que serão processados a fim da obtenção de dispositivos semicondutores para a indústria eletroeletrônica.
Para cada