Circuitos

Indice
Diodos 2
Diodos Especiais 2
Diodo PIN 2
Dispositivos GUNN 3
IMPATT (Impact Avalanche and Transit Time) 3
DIODO TUNNEL (ou ESAKI) 4
DIODO SCHOTTKY 5
DIODO VARICAP (VARACTOR) 6
LIGHT EMITTING DIODE (LED) 6
FOTODIODO 7
OPTOACOPLADOR ELETRÔNICO (FOTOACOPLADOR) 7
DIODO DE CONTATO DE PONTO 8

Diodos

Sao elementos ou componentes eletrônicos compostos por cristais semicondutores de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes materiais durante sua formação, que causa a polarização de cada uma das extremidades.
É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor, usado como retificador de corrente elétrica entre outras aplicações. Possui uma queda de tensão de, aproximadamente, 0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício).

Diodos Especiais
Existem diversos tipos de diodos com características especiais para aplicações específicas.

Diodo PIN

A regiao I tem baixa condutividade (alta resistencia). Mas vir a se tornar uma regiao de elevada condutividade sob polarização directa.
Em polarização reversa praticamente não conduz, oferecendo uma alta tensão de ruptura, da ordem de centenas de volts atuando como um capacitor.
Em polarização direta comporta-se como uma resistência variável de baixo valor.

Age como resistor controlado pela corrente, atua como limitador em circuitos ou como atenuador em microondas.

Dispositivos GUNN

Consiste de um cristal homogêneo de arsenieto de gálio sem a junção PN, não sendo polarizado como os demais diodos devido a ausência da junção.
Basicamente é formado por uma região N, sobre uma base cristalina. O efeito GUNN foi apresentado em 1964 e refere-se a circulação de zonas de campo elétrico de valor elevado, chamados de domínios, que se movimentam através do cristal, quando o dispositivo é convenientemente polarizado.
Os domínios são agrupamentos de elétrons entre ânodo e cátodo, resultando num ciclo de pulsos de