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  • Publicado : 10 de julho de 2012
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TRANSISTOR BIPOLAR


CONSTRUÇÃO


O transistor é um elemento composto por duas regiões com dopagem do tipo N, separadas por uma com dopagem do tipo P (transistor NPN), ou por duas regiões comdopagem tipo P separadas por uma com dopagem tipo N (transistor PNP).

A figura abaixo, mostra as junções NPN e PNP, suas representações gráficas e os sentidos das correntes.2 FUNCIONAMENTO














• O emissor é fortemente dopado;
• A base é fracamente dopada;
• O coletor apresenta uma dopagemintermediária;
• VBB polariza diretamente o diodo do emissor, forçando os elétrons livres do emissor entrarem na base;
• A base estreita e levemente dopada da “tempo” para que a grande maioria doselétrons alcancem o coletor e cheguem ao positivo da fonte VCC, através de RC;
• Uma parte ( IB sat ,ou seja a corrente na base deve ser um pouco maior que a corrente mínima necessária para asaturação (usual ( 10% maior).

O transistor se comporta como uma chave fechada . A tensão entre coletor e emissor é praticamente zero (VCE sat).

A corrente entre coletor eemissor está limitada pela resistência RC. Ela deve ser menor que a corrente de saturação ICsat = ICmáx.





Exemplo:


Dados: Transistor de silício; ICS = 50mA; IBS = 2mA; VCEO = 20V; VCES =0,3V; VBES = 0,7V.
Calcular RB e RC máximo e mínimo, sabendo que a carga consome 20mA quando a tensão VF = 4V no mínimo.


[pic]




8 RETA DE CARGA DO TRANSISTOR

O ponto deoperação do transistor também é denominado de ponto de trabalho ou ponto quiescente. Quando em operação, sobre o transistor são aplicadas tensões e correntes, de modo a estabelecer uma polarização, ouseja ou ponto de operação.
São os resistores de polarização que estabelecem este ponto de trabalho. São eles também que estabelecem a reta de trabalho do transistor ou reta de carga.
Supondo a...
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