Transistor Fet Mosfet

IGBT Este é o acrônimo para Isolated-Gate Bipolar Transistor. Trata-se de um semicondutor que é metade FET e metade bipolar. Nele, a corrente principal é conduzida entre um coletor e um emissor como num transistor bipolar, mas esta corrente é controlada por uma tensão aplicada numa comporta, como num FET. Os IGBTs reúnem as vantagens dos dois componentes e por isso podem ser usados no controle de dispositivos de potência, sendo encontrados principalmente em aplicações industriais. IGBTs…

então retificada por um conjunto de diodos e, depois, filtrada por capacitores e eventualmente um indutor. A tensão contínua obtida neste ponto vai ser finalmente aplicada a um circuito regulador de tensão linear, o qual geralmente consiste em um transistor ou em um circuito integrado que funciona como um resistor variável. Esse resistor variável aumenta ou diminui sua resistência de tal forma que a tensão na carga se mantém constante, independentemente do seu consumo. Esse tipo de…

Bipolar Transistor) CONCEITO: O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Possui características de transistor MosFet na entrada e de transistor Bipolar na saída. ASPECTOS CONSTRUTIVOS: Sua estrutura é muito semelhante àquela apresentada por um transistor…

das chaves semicondutoras. Introdução do retificador a arco de mercúrio, em 1900; A primeira grande revolução da eletrônica começou em 1948 com a invenção do transistor de silício (Bardeen, Brattain e Schockley da Bell Telephone Laboratories); História da Eletrônica de Potência Em 1956 a Bell Laboratories inventou o transistor disparável PNPN, definido como tiristor ou retificador controlado de silício do inglês: silicon controlled rectifier – SCR; A Segunda revolução da…

digitais? Resposta As famílias utilizadas atualmente dentro da área de eletrônica digital são a TTL (Transistor-Transistor Logic) e a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor). 3. Quais características de um circuito integrado podem identificar uma família lógica? Resposta Tensão de alimentação, valores de tensão para os níveis lógicos alto e baixo, tecnologia de fabricação, tipo de transistor utilizado para o chaveamento, velocidade de operação. 4. Por quê, para o nível…

CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS CMOS significa Complementary Metal-Oxide Semicondutor e se refere a um tipo de tecnologia que utiliza transistores de efeito de campo ou Field Effect Transistor (FET) em lugar dos transistores bipolares comuns (como nos circuitos TTL) na elaboração dos circuitos integrados digitais. Existem vantagens e desvantagens no uso de transistores de efeito de campo, mas os fabricantes conseguem pouco a pouco eliminar as diferenças existentes entre as duas famílias…

Introdução O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido - semicondutor - TECMOS), é, de longe, o tipo mais comum de transístores de efeito de campo em circuitos tanto digitais quanto analógicos. Seu princípio básico foi proposto pela primeira vez por Julius Edgar Lilienfeld, em 1925. A palavra "metal" no nome é um anacronismo vindo dos primeiros chips, onde as comportas (gates) eram de metal. Os chips…

1. INTRODUÇÃO A invenção do transistor foi um marco para a engenharia elétrica e eletrônica, assim como para toda humanidade. Com o desenvolvimento dos transistores foi possível a construção de equipamentos eletrônicos verdadeiramente portáteis funcionando apenas com pilhas ou baterias. Além disso, o reduzido volume destes componentes a possibilidade de associação para implementar funções analógicas ou digitais, das mais diversas, proporcionou um desenvolvimento sem igual na indústria…

1 • Transistores de Efeito de Campo (FETS) Como no caso do TBJ, a tensão entre dois terminais do FET (field-effect transistor) controla a corrente que circula pelo terceiro terminal. Correspondentemente o FET pode ser usado tanto como amplificador quanto como uma chave. O nome do dispositivo origina-se de seu pricípio de operação. O controle é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor MOSFET (acrônimo de Metal Oxide…

SCS - Silicon Controlled Switch É um tiristor semelhante ao SCR, mas com dois terminais de disparo, correspondentes às bases dos transistores da trava ideal, gatilho de anodo, Ga, e g. de catodo, Gc, permitindo disparo por pulsos negativo ou positivo, respectivamente. Não é muito comum, sendo geralmente de baixa potência. A sigla significa chave controlada de silício (S de Switch) Não é muito comum, sendo geralmente de baixa potência. DIAC Pode ser entendido como dois diodos…