Transistor Fet Mosfet

MOSFET • • • • • • MOSFET tipo depleção (MOSFET-D) Curvas do MOSFET-D Amplificadores com MOSFET-D MOSFET tipo intensificação (MOSFET-E) Curvas de Dreno Tensão Porta-Fonte máxima Fábio Makihara – 710921 Gustavo de Carvalho Bertoli – 610992 Luís Gustavo Fazzio Barbin – 712418 Luiza Pio Costa da Silva – 712001 Maurício Ayres de Araujo – 712396 Sumário Introdução...................................................................................................3…

Transístor, um componente semicondutor 1947 - A Invenção O transístor de silício e germânio foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone por John Bardeen e Walter Houser Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Física em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld…

ASPECTOS CONSTRUTIVOS DE TRANSISTORES TRANSISTORES DE JUNÇÃO POR LIGA Os primeiros transistores encontrados comercialmente, nos primórdios de 1950, foram feitos pelo processo de junção de liga de germânio. Neste processo, as junções pn eram formadas pela liga de germânio com outro metal. Nos transistores pnp, duas pelotas de índio, que formariam as ligações do emissor e do coletor no transistor completo, foram colocadas sobre os lados opostos de uma fatia de germânio…

por FETs (FET-CTH) PAGEREF _Toc400900339 \h 74.9 MCT PAGEREF _Toc400900340 \h 75. Como funciona o SNUBBER PAGEREF _Toc400900341 \h 86 Analise de um circuito PAGEREF _Toc400900342 \h 86 CONCLUSÃO PAGEREF _Toc400900343 \h 157. REFERÊNCIAS PAGEREF _Toc400900344 \h 16 INTRODUÇÃOEm 1948, a partir de estudos sobre o comportamento de elétrons na interface entre um metal e um semicondutor, os cientistas da Bell Telephone, John Bardeen,Walter Brattain e William Shockley conseguiram criar o…

História GAP/R's K2-W: AmpOp com válvulas (1953). GAP/R's modelo P45: AmpOp com transístores (1961). GAP/R's modelo PP65: AmpOp com transístores incorporados numa embalagem comum (1962). ADI's HOS-050: AmpOp em Circuito Integrado híbrido de alta velocidade (1979). O amplificador operacional recebeu este nome porque foi projectado inicialmente para realizar operações matemáticas utilizando a tensão como uma analogia de uma outra quantidade. Esta é a base dos…

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente…

Transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) Aplicação: -Rádios para automóveis; -Aparelhos de áudio residenciais; -Módulos, computadores; -Caixas amplificadas; -Entre outros aparelhos eletrônicos. É o transistor mais comum emtre os transistores de efeito de campo em circuitos analógicos e digitais.É utilizado em conversores de baixa potência e alta frequência. Composição: Um MOSFET é composto de um canal de material

adicionais que precisam ser bem conhecidas para que ele possa ser usado convenientemente. A Figura 2.5 representa o circuito equivalente e o símbolo do GTO, respectivamente. Figura 2.5 – GTO 3. Transistor de junção bipolar (TJB) O TBJ (Transístor de Junção Bipolar) ou BJT (Bipolar junction Transistor) é um dispositivo semicondutor, composto por três regiões de semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas junções p-n. A junção p-n entre a base e o emissor…

Resultado: TURMA: 5ETVB-EELT 1 SEMICONDUTORES Os semicondutores têm tido um impacto incrível em nossa sociedade. Eles são encontrados nos chips de microprocessadores e em transistores. Tudo que é computadorizado ou que utiliza ondas de rádio depende de semicondutores. Atualmente, a maioria dos chips semicondutores e transistores são produzidos com silício. O silício é um elemento muito comum na natureza, por este e outros motivos é o material mais utilizado na confecção de…

SUMÁRIO 1. OBJETIVO Explanar a composição, aplicação e o comportamento dos Tiristores, FETs e Amplificadores Operacionais e seus derivantes. 2. INTRODUÇÃO TEÓRICA 2.1 TIRISTOR O tiristor também conhecido pela designação de SCR (Retificador de Silício Controlado) tem como função principal ligar e desligar circuitos com “grandes” cargas, motores, aquecedores, etc. Os tirístores trabalham sempre entre dois estados de funcionamento: o corte e