A

2391 palavras 10 páginas
Escola Superior de Ciências Náuticas
Departamento de Rádio
Engenharia Electrónica e Telecomunicações
Cadeira:
Turma: 3R/12 – Diurno

Discentes:

Docente:

Bacar Muhorro

Engº. Elso Guilengue

Helénio Lewane
Luís Maria Marcos
Olinda Matola
Paulo Pedro Ubisse
Vânia Helena A. Brito

Maputo, Outubro de 2014

ÍNDICE
1

INTRODUÇÃO ...................................................................................................................... 2

2

OBJECTIVOS......................................................................................................................... 2

3

4

5

2.1

Objectivo geral ................................................................................................................. 2

2.2

Objectivos específicos ...................................................................................................... 2

TECNOLOGIAS DE CIRCUITOS INTEGRADOS.............................................................. 3
3.1

Bipolar .............................................................................................................................. 3

3.2

MOS (Metal-Oxide Semiconductor) ................................................................................ 3

CATEGORIAS DE MEMÓRIAS .......................................................................................... 4
4.1

Significado da letra K nas memórias ................................................................................ 4

4.2

Memorias estáticas e dinâmicas ....................................................................................... 5

MEMÓRIAS ........................................................................................................................... 6
5.1

Classificação das Memórias ............................................................................................. 6

5.1.1

RAM (Random Access Memory) ............................................................................. 6

5.1.2

ROM ( Read

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