Transistor fet

1.0 - Introdução .
O funcionamento do transistor bipolar baseia-se em dois tipos de cargas: elétrons e lacunas. O funcionamento de um transistor unipolar depende apenas de um tipo de carga, elétrons ou lacunas. O transistor de efeito de campo (FET - field effect transistor ) é um exemplo de um transistor unipolar. Os transistores bipolares são dispositivos controlados por corrente, isto é, a corrente de coletor é controlada pela corrente de base. Já no transistor FET a corrente é controlada pela tensão ou pelo campo elétrico. A grande vantagem do FET sobre o transistor bipolar é a sua altíssima impedância de entrada (da ordem de dezenas a centenas de megaohm) além de ser um dispositivo de baixo ruído.

2.0 - Transistor JFET (Transistor de efeito de campo de junção - Junction field effect transistor).

3.1 - Características do JFET.

O Transistor de Efeito de Campo de Junção – JFET foi o primeiro FET desenvolvido. Há dois tipos: Canal N(condução por elétrons) e Canal P(condução por lacunas).

Regiões dos transistores: | | | | Canal N | Canal P | Estrutura e simbologia do JFET | Bipolar | JFET | Emissor (E) | Fonte (S - source) | Base (B) | Porta (G – gate) | Coletor (C) | Dreno (D - drain) |

Sua estrutura é composta por uma barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), deixando um canal estreito do primeiro material para controlar a corrente como mostra a Figura 1.0.

Figura 1.0

3.2 – Princípios de funcionamento.

O princípio de funcionamento do JFET é controlar a corrente iD que circula entre a fonte e o dreno. Isto é feito aplicando-se uma tensão na porta.
Com o potencial de porta igual a zero, ou seja, VG = 0 ou VGS = 0, aplicando-se uma tensão entre o dreno e a fonte (VD ou VDS), surge uma corrente iD.
Com uma pequena tensão entre dreno e fonte VDS, a região N funciona como uma resistência, com a corrente iD aumentando linearmente com VDS. Mas conforme a tensão VDS