Transistor de Efeito de Campo

Transistor de Efeito de Campo (FET) Primeira referência foi apresentada numa patente feita em 1930, por Julius Edgar Lilienfeld, um pesquisador ucraniano nascido em 1882 e que imigrou para os EUA na década de 20 do século passado. Sua ideia era controlar a condutividade de um material, por um campo elétrico transversal; mas o sistema proposto por Lilienfeld não funcionaria na prática. O domínio de semicondutores e da física necessária para a construção dos FETs só apareceria no início dos anos 50 do século passado. O FET é um desenvolvimento tecnológico posterior ao transistor de junção; mas é o elemento dominante, por suas características, em sistemas lógicos modernos. Da teoria dos dispositivos semicondutores que identifica lacunas, portadores minoritários e majoritários podemos entender o funcionamento do Transistor de Efeito de Campo.
Existem a grosso modo, duas classes de FETs:
FET de junção, chamados de JFET.
FET de contato, chamado de MOS-FET. Além do tipo portador (canal N ou canal P), existem diferenças em como o elemento de controle é construído (Junção vs Isolado), e esses dispositivos devem ser usados de formas diferentes.

O FET é conhecido como transistor unipolar porque a condução da corrente acontece por apenas um tipo de portador (elétron ou lacuna), dependendo do tipo do FET, de canal n ou de canal p. O nome “efeito de campo” decorre do fato que o mecanismo de controle do componente é baseado no campo elétrico estabelecido pela tensão aplicada no terminal de controle. O transistor JFET recebe este nome porque é um transistor FET de junção.

A figura 01 apresenta um JFET de canal n (existem também os de canal p). Seu diagrama construtivo simplificado representa uma “BARRA” de silício semicondutor tipo n (semicondutor dopado de impurezas doadoras) e contendo incrustadas duas regiões tipo p. O JFET da figura 01 tem as seguintes partes constituintes:
FONTE: (source) fornece os elétrons livres