Segurança em Eletricidade e suas Potencialidades

Família Lógica C-MOS
Complementary - Metal Oxide Semiconductor Trata-se de uma família que tem seus circuitos construídos por transistores MOS-FET (Metal Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor) do tipo canal N e canal P. Suas configurações básicas permitem uma série de vantagens, tais como: alto Fan-Out, alta margem de imunidade ao ruído e baixíssimo consumo.
Estrutura Básica dos MOS-FET Canal N e Canal P

Corrente de Dreno versus VGS para o MOS-FET Canal N

Corrente de Dreno versus VGS para o MOS-FET Canal P

Simbologias
Transistores MOS são chaves eletrônicas controladas por tensão. Os dois tipos básicos são o MOSFET canal N ( NMOS) e o MOSFET canal P ( PMOS ).
A seguir são mostrados os símbolos mais usados.
Observe que um MOS tem 4 terminais : Gate (G), Dreno(D), Fonte(S) e Substrato(B).Os símbolos da direita muita vezes são usados para simplificar a representação do MOS-FET.As tensões que são usadas para controlar o fluxo de corrente através do dispositivo são VGS e VDS.
MOS canal N (simbologias)
NMOS

MOS canal P (simbologias)
PMOS

Muitas vezes o eletrodo do substrato é omitido por simplicidade, e para distinguir entre NMOS e PMOS é usada o círculo no terminal gate para indicar inversão.
Aplicando uma tensão no terminal gate o MOS-FET conduz. Um NMOS conduz quando é aplicada uma tensão positiva , enquanto um PMOS conduz com uma tensão negativa. Transistor MOS-FET como Chave
Um transistor MOS pode ser modelado como sendo simplesmente uma chave.
O fechamento e a abertura é controlada pela tensão VGS . Se associarmos o nível lógico "1" a VDD e o nível lógico "0" a 0V ,quando no NMOS tivermos VGS = VDD então a chave fecha , no PMOS é o contrário , se VGS =0V a chave fecha. Transistor MOS-FET como chave

Um inversor pode ser