Relat Rio 3 Eletr Nica

Universidade Federal de Minas Gerais – UFMG

Escola de Engenharia
Departamento de Engenharia Eletrônica

Relatório da prática3
Transistores

Aluno: Fabrício Henrique Falcão Diniz
Matrícula: 2011017127
Disciplina: Eletrônica – ELT 054
Turma: D4
Professor: Evandro Araújo 1 – Introdução A fim de se estudar aplicações básicas de transistores como chaves eletrônicas, foram realizadas, através do programa LTspice, duas simulações diferentes: a primeira em um circuito com a presença de um LDR anterior e em série à base do transistor, a segunda com o uso de uma fonte de pulsos periódicos, também em série e anterior à base do transistor. Os procedimentos foram realizados de acordo com o roteiro de pratica fornecido. 2 – Resultados 2.1 – Simulação 1
O circuito foi editado conforme a Figura 1. Os modelos e valores para os componentes foram definidos para:
Diodo D1: 1N4148
Transistor Q1: BC547B
Relé:L = 100 mH, R = 52 Ω
LDR: R = 100 Ω (claro) – 2M Ω (escuro) No circuito o diodo D1 atua como um caminho alternativo para a corrente que passa pelo relé e pelo transistor, evitando que um eventual surto de tensão danifique os componentes citados. Para os calculos dos valores requisitados, usou-se as seguintes equações:

Os dados obtidos através de cálculos e simulação estão na tabela abaixo:
Variável
Cálculo
Simulação

100 Ω
2 MΩ
100 Ω
2 MΩ

1,87 mA
2,15 µa
1,82 mA
2.18 µA

92,3 mA
0 A
92,2 mA
661.24 µA

0,2 V
5,0 V
205,4 mV
4,97 V β 49,36
-
50,66
303,33

Para LDR com 100 Ω, o transistor está saturado, uma vez que a resistência é baixa a ponto de gerar uma corrente com intensidade suficiente para tal. Assim temos o valor de Vce dentro da faixa de saturação (0,1V – 0,3V) Para LDR com 2 MΩ, o transistor está em corte, uma vez que a resistência é alta o suficiente para praticamente anular a intensidade da corrente. Assim o valor de Ic é desprezível e pode ser considerado como 0.

2.2 – Simulação 2
O circuito foi editado conforme a Figura 2. Os