multi vibrador astavel

Páginas: 12 (2928 palavras) Publicado: 20 de maio de 2014


MULTIVIBRADORES TRANSISTORIZADOS.
Na eletrônica, de modo geral, os multivibradores são circuitos capazes de gerar ondas quadradas ou retangulares. “A circuit that is designed to go quickly from cutoff to saturation will produce a square or rectangular wave at its output”1 (Um circuito que é projetado para alternar rapidamente entre a saturação e o corte, irá produzir uma onda quadrada ouretangular), essa passagem é o princípio de funcionamento dos multivibradores.
Os multivibradores são classificados de acordo com o número de estados estacionários do circuito, são eles astável (não possui estados estáveis), monoestável (possui um estado estável) e biestável (possui dois estados estáveis).

MULVIBRADOR BIESTÁVEL

É um circuito que apresenta dois estados estáveis e só troca osestados se receber um pulso de entrada.

BIESTÁVEL COM DISPARO SIMÉTRICO NA BASE






B1





VCC




CB2
CB1

RB2 R

RD1 RD2
Q1 Q2




D1 CD1
D2
CD2



ve

Supondo Q1 cortado e Q2 saturado:

CIRCUITO EQUIVALENTE DO INÍCIO DA TRANSIÇÃO DE SUBIDA ATÉ O INÍCIO DATRANSIÇÃO DE DESCIDA DO PULSO DE ENTRADA.

VCC

CB2 CB1
RC1 RC2

RB2 RB1
vs2 vs1
VCE2sat
VCE1 corte

RD


VBE1 corte
0,3V


VBE2sat
0,7V
0,3V



RD2

D1 D2 RE
CD1
CD2




ve


CIRCUITO EQUIVALENTE DO INÍCIO DA TRANSIÇÃO DE DESCIDA ATÉ A TRANSIÇÃO DE SUBIDA DO PULSO DE ENTRADA.

VCCRC2


vs1




Q2
RD2

D2 RE

-
VCD2 CD2
+



A tensão negativa aplicada ao catodo do diodo polariza a base negativamente, forçando o corte do transistor.


FORMAS DE ONDA









ENTRADA














CATODO








BASE















COLETOR



EQUAÇÕES DE MALHA

a) Coletor de Q2 e base deQ1:

− VCE 2 sat + VRB1 + VBE1corte = 0
VBE1corte ≡ VCE 2 sat
pois
VRB1 ≅ 0V

b) Coletor de Q2 e terra:

− VC 2 + VCE 2 sat + VRE = 0

VC 2 = VCE 2 sat + VRE

c) Coletor de Q1 e terra:

− VCC + VRC1 + VCE 2corte + VRE = 0
VCE 2corte + VRE
= VCC − VRC1

Como VC1 = VCE 2 corte + VRE , Então
VC1 = VCC − VRC1

Ou VC1 ≅ VCC

Visto que a corrente quecircula por próxima de zero.

Tensões nos capacitores C B1 e CB 2
RC1
é a mesma que circula por
RB 2 , portanto

VCB1 = VRB1 = 0
VCB 2 = VC1 − VBE 2 sat − VRE

Quando um pulso de disparo é aplicado nos capacitores C D1 e CD 2 leva
Q1 à saturação.
Q2 ao corte e
Quando um novo pulso de disparo é aplicado nos capacitores C D1 e corte e Q2 à saturação.
CD 2 leva
Q1 ao

E assaídas trocam de estados à medida em os pulsos vão sendo aplicados. PROJETO DO BIESTÁVEL COM DISPARO SIMÉTRICO PELA BASE
Dados: VCC, VRE, ICsat e βmín.

CÁCULO DOS RESISTORES DE COLETOR E DE BASE



V − V
R = CC CEsat
V − V − V
R = CC RC BEsat
C
Csat
B
Bsat


DETERMINAÇÃO DE IBsat


I Bsat
I
= k Csat
β mín

ONDE: k éuma constante multiplicativa para garantir a saturação do transistor; seu valor pode ficar entre 2 e 3.

O βmín é obtido no “datasheet” do transistor ou através de ensaio. CAPACITORES CB
Esses capacitores são usados quando a freqüência de chaveamento é
relativamente alta acima de 5kHz para que o transistor responda com maior velocidade na mudança de estado.

Seusvalores devem ser

Página 63)



Onde:
Q T ≤ C
2 v ePP
t p
≤ ( vide referência bibliográfica 1.
5 R B

tP: Largura do pulso de disparo.
vePP: Tensão de entrada de pico a pico.
QT: Capacidade de carga do transistor.

RESISTORES RD

Adota-se um valor 2 ≤ R D
≤ 10 xR C .

CAPACITORES CD

Esses capacitores devem ser 100
≤ C D
≤ 500
xC C (capacitância...
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