Materiais Orgânicos

26 a 29 de novembro de 2013 – Campus de Palmas

ESTUDO DAS PROPRIEDADES ESTRUTURAIS E ELETRÔNICAS DE CRISTAIS DE DNTT E DNSS UTILIZANDO MÉTODOS DE PRIMEIROS PRINCÍPIOS

J. X. Cantuaria¹; R. Lelis-Sousa ²

¹Aluno do curso de licenciatura em Física; Campus Universitário de Araguaína; e-mail: [e-mail]
²Prof. Dra. do curso de licenciatura em Física; Campus Universitário de Araguaína; e-mail: [e-mail]

RESUMO

Os semicondutores orgânicos tem sido extensivamente investigados devido às possibilidades de aplicações em dispositivos eletrônicos, tais como LEDS (dispositivos emissores de luz), células fotovoltaicas, transistores ou sensores. Dentre as características atrativas destes materiais, destacamos o baixo custo, facilidade de processamento utilizando métodos de química molhada, flexibilidade estrutural e possibilidade de construção de dispositivos com grandes áreas. Para se obter dispositivos eficientes, é fundamental que o semicondutor orgânico empregado como camada ativa tenha alta mobilidade e estabilidade em atmosfera. Recentemente foi relatada a síntese de dois novos semicondutores com altos valores de mobilidade de buracos e excelente estabilidade em ar: o DNTT (dinafto[2,3-b:2′ ,3′ -f ]thieno[3,2-b ]-tiofeno) e o DNSS (dinafto[2,3-b:2′ ,3′ -f]thieno[3,2-b]-selofeno). O DNSS é isoestrutural do DNTT e ambos são tienoacenos formados por acenos mais anéis fundidos de tiofenos por parte do DNTT e selofenos por parte do DNSS. No presente trabalho analisamos as propriedades estruturais e eletrônicas dos cristais de DNTT e DNSS utilizando o método de primeiros princípios baseado na teoria do funcional da densidade.

Palavras chaves: Teoria do Funcional da Densidade (DFT) ; DNTT e DNSS; Semicondutores Orgânicos:

INTRODUÇÃO

Recentemente o campo da eletrônica orgânica tem ganhado grande importância no cenário tecnológico, devido ao surgimento de alguns dispositivos eletrônicos altamente flexíveis e de boa