Diodos NDR

INSTITUTO FEDERAL DE EDUCAÇÃO, CIÊNCIA E TECNOLOGIA DO MARANHÃO
CAMPUS MONTE CASTELO
ENGENHARIA ELÉTRICA INDUSTRIAL
DISCIPLINA MATERIAIS ELÉTRICOS

DIODOS DE RESISTÊNCIA NEGATIVA

Apresentação:
Diogo de Jesus Fonseca Reis EE1121006-21

SÃO LUÍS-MA
2014

RESISTÊNCIA NEGATIVA
“Diodos convencionais são dopados com um átomo de impureza para cada dez milhões de átomos de semicondutor intrínseco.
Aumentando-se a dopagem para mil átomos de impureza para cada dez milhões de átomos de semicondutor intrínseco, obtém-se uma região de resistência negativa.” (Leo Esaki).

RESISTÊNCIA NEGATIVA

DIODO TÚNEL

DIODO TÚNEL- CONCEITO
O diodo túnel, possui características de resistência negativa que permitem sua utilização em circuitos semelhantes aos osciladores com transistores de junção.
No entanto, os diodos túnel tem algo mais: podem oscilar em frequências superiores a 1 Giga-hertz o que os torna especialmente indicados para circuitos de altíssima frequência.

DIODO TÚNEL-HISTÓRIA
O diodo túnel surge em 1958 advindo das pesquisas do cientista japonês Dr. Leo Esaki efetuadas nos laboratórios de desenvolvimento da Sony
Corporation, no Japão.
Sua concepção consistia na formação de uma junção bastante abrupta entre as regiões P e N de uma matriz de Germânio com alto teor de impurezas, obtendo-se uma área de depleção bem fina.

DIODO TÚNEL-TEORIA
Tunelamento é um fenômeno mecânico puramente quântico o qual permite que os elétrons “penetrem” as barreiras potenciais mesmo que sejam
“classicamente proibidas”.

DIODO TÚNEL-TEORIA

Um elétron de energia E incide sobre uma barreira de potencial de altura V0. Classicamente o elétron é refletido quando E