Dinâmica eletrônica clássica em sistemas semicondutores corrugados contendo antipontos tridimensionais na presença de campo magnético

7 a 9 de dezembro de 2011 – Campus de Palmas

DINÂMICA ELETRÔNICA CLÁSSICA EM SISTEMAS SEMICONDUTORES CORRUGADOS CONTENDO ANTIPONTOS TRIDIMENSIONAIS NA PRESENÇA DE CAMPO MAGNÉTICO.
B. C. Lima1; N. M. Sotomayor2
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Aluno do Curso de Licenciatura em Física; Campus de Araguaína; e-mail: [e-mail] “PIBIC/CNPq” 2 Orientador(a); Curso de Licenciatura em Física; Campus de Araguaína; e-mail: [e-mail]

RESUMO É reportado o estudo teórico e computacional da dinâmica clássica e do transporte balístico de dois sistemas físicos contendo gases de elétrons. O primeiro sistema corresponde a dispositivos semicondutores contendo o gás bidimensional de elétrons (2DEG) de alta mobilidade vinculado a topografias não planares na presença de campo magnético. O segundo sistema corresponde a dispositivos semicondutores contendo o gás tridimensional de elétrons (3DEG) balístico, confinado a poços de potencial por barreiras corrugadas, na presença de campo magnético. Para o estudo de ambos os sistemas foi realizado o cálculo numérico das trajetórias eletrônicas no espaço de fases, a seguir, através do emprego da teoria de resposta linear de Kubo foi obtida a condutividade, finalmente, usando o tensor de condutividade foram calculadas a magnetorresistência e a resistividade Hall em função da intensidade do campo magnético. A análise dos resultados mostra que a adição de vínculos ao gás bidimensional de elétrons introduz caos adicional no espaço de fases conduzindo a mudanças na difusão e à destruição dos picos de comensurabilidade. No caso do gás tridimensional de elétrons observou-se o aparecimento de oscilações de comensurabilidade na magnetoresistência, no regime de campo magnético fraco na ausência de antipontos, fenômeno não descrito na literatura. Palavras-chave: 2DEG; 3DEG; caos; magnetorresistência; espalhamento eletrônico; INTRODUÇÃO Graças aos avanços da física do estado sólido e das técnicas de fabricação de materiais semicondutores com alto nível de