transistor de efeito de campo

Aula16: Transistor Efeito de Campo - Princípios de FuncionamentoBibliografia: Microeletrônica - Vol.1 Sedra e Smith e Eletrônica Vol 1 - Malvino Transistores Efeito de Campo O principio de funcionamento de um transistor efeito de campo está baseado na modulação da largura de um canal, portanto sua capacidade de corrente, por uma tensão aplicada. Desta forma transistores efeito de campo são dispositivos controlados por tensão ao contrario do transistor tradicional (transistor bipolar ou BJT – Bipolar Junction Transistor) que são controlados por corrente. Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (Metal-Oxide-Semicondutor FET) também chamados de IGMOS (Insulated Gate MOS – Transistor MOS e o JFET (Junction FET) sendo que os primeiros são mais usados, principalmente em circuitos integrados e ultimamente como dispositivos de potencia. Cada tipo pode ser encontrado com duas polaridades: canal N e canal P. Existem muitas diferenças entre os transistores efeito de campo e o tradicional, sendo que as três principais são: Tipo de controle da corrente: no FET é por tensão no tradicional por corrente. A impedância de entrada: no FET é muito alta (>1M) e no tradicional é baixa (devido à junção PN polarizada diretamente). O tipo de portador: No FET é um tipo (elétron livre ou lacuna) no tradicional são elétron e lacuna. Ganho de tensão: No FET é menor do que no BJT. Transistor Efeito de Campo de Junção A figura 1a mostra, de

TEODORO BELO HORIZONTE - 2013 SUS-CHAVE UNILATERAL DE SILÍCIO SIMBOLOGIA CARACTERÍSTICAS ESPECIAIS A chave unilateral de silício SUS-Silicon Unilateral Switch, é na realidade um aprimoramento do SCR ou diodo de quatro camadas.Consiste em um circuito integrado composto de transistores,diodos e resistores acrescido de um terceiro terminal de gatilho o que o dá mais possibilidades de aplicação. COMPARAÇÃO COM OUTROS DISPOSITIVOS DE DISPARO A diferença deste dispositivo…

1.0 - Introdução . O funcionamento do transistor bipolar baseia-se em dois tipos de cargas: elétrons e lacunas. O funcionamento de um transistor unipolar depende apenas de um tipo de carga, elétrons ou lacunas. O transistor de efeito de campo (FET - field effect transistor ) é um exemplo de um transistor unipolar. Os transistores bipolares são dispositivos controlados por corrente, isto é, a corrente de coletor é controlada pela corrente de base. Já no transistor FET a corrente é…

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente…

Eletrônica Básica Aula16: Transistor Efeito de Campo - Princípios de Funcionamento Bibliografia: Microeletrônica - Vol.1 Sedra e Smith e Eletrônica Vol 1 - Malvino Transistores Efeito de Campo O principio de funcionamento de um transistor efeito de campo está baseado na modulação da largura de um canal, portanto sua capacidade de corrente, por uma tensão aplicada. Desta forma transistores efeito de campo são dispositivos controlados por tensão ao contrario do transistor…

UNIVERSIDADE ANHANGUERA ENGENHARIA ELÉTRICA – CAMPUS ABC ATPS Eletrônica de Potência I UNIVERSIDADE ANHANGUERA ENGENHARIA ELÉTRICA – CAMPUS ABC ATPS – ELETRÔNICA DE POTÊNCIA I ALUNO: WILLIAM APARECIDO NALOTO VENÂNCIO RA: 080194494 ÍNDICE 1.0 INTRODUÇÃO Esta ATPS tem por finalidade apresentar conceitos de eletrônica de potência e seus dispositivos. 2.0 OBJETIVO Os Dispositivos…

duvidas, que não foram poucas. "O sucesso é ir de fracasso em fracasso sem perder o entusiasmo." Sir Winston Churchill - primeiro-ministro do Reino Unido durante a Segunda Guerra Mundial. RESUMO O objetivo do presente trabalho é abordar o assunto dispositivos semicondutores a evolução e as diferentes tecnologias de fabricação, os tipos de componentes que usam essa tecnologia, o que resultou na revolução…

elétrons da região N são atraídos pelas lacunas do pólo positivo da bateria e as lacunas da região P são completadas pelos elétrons do pólo negativo. Observe o que acontece: [pic] Polarização inversa A camada de depleção aumenta sensivelmente. Se ela já dificultava a passagem de corrente, agora torna-se virtualmente impossível transpô-la. Os portadores majoritários de cada lado ficam ainda mais isolados. O semicondutor, então, passa a se comportar como um…

1. INTRODUÇÃO A invenção do transistor foi um marco para a engenharia elétrica e eletrônica, assim como para toda humanidade. Com o desenvolvimento dos transistores foi possível a construção de equipamentos eletrônicos verdadeiramente portáteis funcionando apenas com pilhas ou baterias. Além disso, o reduzido volume destes componentes a possibilidade de associação para implementar funções analógicas ou digitais, das mais diversas, proporcionou um desenvolvimento sem igual na indústria…

................................. 7.5 Corrente máxima direta.......................................................................... 7.6 Tensão reversa máxima......................................................................... 7.7 Teste de diodos semicondutores........................................................... 07 08 10 10 11 11 13 13 13 14 14 15 16 16 16 16 17 18 19 19 20 20 21 23 23 23 24 24 25 25 26 26 26 27 28 28 29 29 31 31 31 SENAI CTV Blumenau Eletrônica Básica 5 …