Qual é A Característica Da Corrente Versus Tensão Para Um Diodo De Silício

....................10 DIODOS ............................................................................................................................................13 POLARIZAÇÕES DO DIODO................................................................................................................13 COMPONENTES LINEARES ................................................................................................................14 CARACTERÍSTICAS DOS DIODOS ........................

semicondutores; corrente de difusão; junção PN. CAPÍTULO 4: Dispositivos a Semicondutor I – O Diodo de Junção Bipolar: polarização direta e reversa da junção PN; equação e característica tensão-corrente do diodo de junção bipolar; linha de carga; modelos do diodo para grandes sinais e baixas freqüências; aplicações elementares de diodos a baixas freqüências (circuitos DC e AC); modelos do diodo para pequenos sinais; capacitâncias de difusão e transição; tempos de comutação do diodo…

............................. 3. JFET................................................................................................. 3.1. Polarização de um JFET..................................................................... 3.2. Curva característica de dreno.............................................................. 3.3. Curva de Transcondutância................................................................. 3.4. Autopolarização.......................................................

baixa condutividade. A Fig.b. representa a característica estacionária tensão-corrente de um DIAC. Não existe descontinuidade entre as zonas I e II, apresentando o dispositivo na zona II uma resistência dinâmica negativa. Na zona I uma parte apreciável da tensãoU deve-se à queda de tensão de carácter óhmico UR = RI na base. Fig.a. O DIAC – estrutura e símbolo Fig. b. Característica estacionária tensão-corrente num DIAC Ao atingir a tensão de limiar L U , a junção…

ELÉTRONS EM PROCESSOS DE IRRADIAÇÃO COM DIODOS RESISTENTES A DANOS DE RADIAÇÃO THAÍS CAVALHERI DOS SANTOS Tese apresentada como parte dos requisitos para obtenção do Grau de Doutor em Ciências na Área de Tecnologia Nuclear - Aplicações Orientadora: Profa. Dra. Carmen Cecília Bueno São Paulo 2012 INSTITUTO DE PESQUISAS ENERGÉTICAS E NUCLEARES Autarquia Associada à Universidade de São Paulo DOSIMETRIA DE ELÉTRONS EM PROCESSOS DE IRRADIAÇÃO COM DIODOS RESISTENTES A DANOS…

................................................7 1.1.7) Fator custo dos materiais ................................................................................................................................7 1.1.7.1) Exemplo de caso: cobre versus alumínio ................................................................................................8 1.2) Conceito de bandas de energia .......................................................................................................

vantagens das fibras ópticas em relação aos cabos metálicos: A fibra óptica é totalmente imune a interferências eletromagnéticas, o que significa que os dados não serão corrompidos durante a transmissão. Outra vantagem é que a fibra óptica não conduz corrente elétrica, logo não haverá problemas com eletricidade, como problemas de diferença de potencial elétrico ou problemas com raios. O princípio fundamental que rege o funcionamento das fibras ópticas é a reflexão total da luz. Para que…

Um conversor controlado completo é mostrado na figura 2.1 a) na forma de diagrama de bloco. Para uma dada voltagem de linha ac, a voltagem média no lado dc pode ser controlada de uma voltagem máxima positiva até uma voltagem mínima negativa. A corrente dc Id não pode mudar de direção, como será visto. Portanto, um conversor deste tipo só pode operar em dois quadrantes (no plano Vd – Id) A figura 2.1 b) mostra que Vd e Id positivo implica em retificação onde o fluxo de potência é do…

abreviado por FET (direto do inglês, Field-Effrect Transistor), é um dispositivo de três terminais, utilizado em várias aplicações e que realiza, em larga escala, muitas das funções do TBJ. O FET é um dispositivo controlado por tensão, onde a corrente Id é a função da tensão Vgs aplicada do circuito de entrada. Os transistores FET existem de canal n e p, e são dispositivos unipolares, dependendo somente da condução realizada por elétrons (n) ou buracos (p). Os MOSFETs (Transistores…

potência da GD, em pu, versus aredução percentual de perdas na linha. 48 Figura 13 - Variação da localização e da potência da GD, em pu, versus a redução percentual de perdas na linha 48 Figura 14 - Sistema de aproveitamento de energia térmica para aquecimento de água 50 Figura 15 - Radiação solar global horizontal, média anual 54 Figura 16 - Radiação solar no plano inclinado 55 Figura 17 – Transferência de elétrons na junção pn 58 Figura 18 - Célula fotovoltaica de silício…