Mosfet E Igbt

que o transistor se polarize em corte. BJTs estão disponíveis com potências de até 1200V e 400A. Comumente usado em conversores operando até 10 kHz. Tem sido cada vez mais substitúídos por MOSFETs e IGBTs. SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA – Mosfet Mosfet - Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor O Mosfet (Transistor de Efeito de Campo), cujo símbolo e curva característica são mostrados na figura abaixo, é comandado por tensão aplicada entre os terminais Gate (G) e Fonte (S). Este…

porta isolada (IGBTs) O transistor bipolar[3] de porta isolada (IGBT) destaca-se pelas características de baixa queda de tensão no estado ligado do Transistor Bipolar de Junção (BJT) com as excelentes características de chaveamento, que traz um circuito de acionamento da porta bem simplificado e com alta impedância de entrada do mosfet. Existem no mercado transistores IGBTs com os valores nominais de corrente e de tensão bem acima dos valores encontrados para Mosfets de potência. Os…

O IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) CONCEITO: O IGBT é um semicondutor de potência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dos MOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-se por possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Possui características de transistor MosFet na entrada e de transistor Bipolar na saída. ASPECTOS CONSTRUTIVOS: Sua estrutura é muito semelhante àquela apresentada por

isolada (IGBTs) O transistor bipolar4 de porta isolada (IGBT) destaca-se pelas características de baixa queda de tensão no estado ligado do Transistor Bipolar de Junção (BJT) com as excelentes características de chaveamento, que traz um circuito de acionamento da porta bem simplificado e com alta impedância de entrada do mosfet. Existem no mercado transistores IGBTs com os valores nominais de corrente e de tensão bem acima dos valores encontrados para Mosfets de potência. Os IGBTs…

Quem tem medo dos IGBT? Em julho de 1981 (caramba, mais de 30 anos) escrevi um artigo para a saudosa Revista Antenna intitulado “Quem tem medo dos TEC?”. A sigla TEC significa Transistor de Efeito de Campo é a tradução de Field Effect Transistor, mais conhecido por FET, foi uma “imposição” do Dr. Gilberto, então diretor da revista que tinha um sonho de ver a língua portuguesa como a língua oficial do Brasil (na teoria e na prática). Quem quiser matar saudades e reler o artigo (talvez…

transistor de potência, SCR, TRIAC, IGBT, etc., são usados como elementos de chaveamento e controle de fornecimento de energia de máquinas e motores elétricos. Dentre as aplicações cotidianas mais comuns se destaca o controle microprocessado de potência. Os equipamentos de informática, tais como a fonte de alimentação chaveada do PC, o estabilizador, o nobreak, etc., utilizam como elementos principais dispositivos semicondutores chaveadores (Mosfets, IGBTs, BJTs, etc.). CHAVES…

Introdução • Os transistores de potência são aqueles com altos valores nominais de tensão e de corrente; • Possuem dois tipos de aplicação: amplificação e chaveamento; • Os transistores mais utilizados em circuitos de potência é o BJT e o MOSFET. 2 BJT (Transistor Bipolar de Junção) • Dispositivo controlado por corrente; • Para mantê-lo ligado é necessário uma alta corrente na base; • Existem dois tipos: NPN e PNP. 3 BJT (Transistor Bipolar de Junção) Figura –…

chaves em circuitos de eletrônica de potência são: Chaves semicondutoras de potência  Diodos;  Transistores bipolares de junção (BJTs);  Transistores de efeito de campo metalóxido-semicondutor (MOSFETs); Chaves semicondutoras de potência Transistores bipolares de porta isolada (IGBTs);  Retificadores (SCRs);  Triacs; controlados de silício Tipos de circuitos de eletrônica de potência  Os circuitos de eletrônica de potência (ou conversores, como…

Mosfet Mosfet é a abreviação da palavra Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor (transistores de efeito de campo). Esses transistores diferentes dos transistores bipolares comum são típicos amplificadores de tensão e não de corrente. Enquanto a corrente de coletor de um transistor comum é função da corrente de base, em um mosfet , a corrente do dreno é função da tensão de comporta, segue abaixo a estrutura do Mosfet: Figura 1: Estrutura do Mosfet Uma fina película de Oxido de…

Introdução O IGBT - Insulated Gate Bipolar Transistor, ou transistor bipolar de porta isolada - é um componente semicondutor de potência, que possui como principais características: alta eficiência, rápida comutação e facilidade de acionamento.Atualmente ele é muito utilizado em inversores de frequência e fontes chaveadas de alta potência, além de ter aplicação em carros híbridos ou elétricos, popularizando cada vez mais o seu uso emeletrônica embarcada e de consumo, em detrimento dos…