Transistores FET Parte II

Universidade Federal do Piauí
Centro de Tecnologia
Curso de Engenharia Elétrica

DISPOSITIVOS
ELETRÔNICOS
Transistores de Efeito de Campo
- Parte II - MOSFETs

Prof. Marcos Zurita [e-mail] www.ufpi.br/zurita

Teresina - 2012

Sumário
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1. O Transistor MOSFET
2. O MOSFET Tipo Depleção
● 2.1. Características
● 2.2. Polarização
3. O MOSFET Tipo Intensificação
● 3.1. Características
● 3.2. Regiões de Operação
● 3.3. O MOSFET Canal p
● 3.4. Curva de Transferência
● 3.5. Polarização
4. A Tecnologia CMOS
Bibliografia
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1. O Transistor MOSFET

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O Transistor MOSFET
O Transistor MOSFET
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É o mais importante componente semicondutor fabricado atualmente.
Em 2009 foram fabricados cerca de 8 milhões de transistores MOSFET para cada pessoa no mundo;
Esse número deverá dobrar até 2012.
Possuem elevada capacidade de integração, isto é, é possível fabrica-los nas menores dimensões alcançáveis pela tecnologia empregada.
São componentes de simples operação e possuem muitas das características elétricas desejáveis para um transistor, especialmente para aplicações digitais.
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O Transistor MOSFET
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Intel i7-980X: 1,17 bilhões de MOSFETs em 248 mm2.

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O Transistor MOSFET
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MOSFET: Transistor de Efeito de Campo de MetalÓxido-Semicondutor (do inglês, Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor);
São transistores formados pela associação entre um condutor, um isolante óxido e SCs tipo p e n (um deles fortemente dopado).
Assim como o JFET, seu princípio de funcionamento baseia-se no controle do canal de condução entre os terminais fonte (S) e dreno (D) através da porta de controle (G).
Existem dois tipos de MOSFETs:
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Tipo Depleção (ou Indução);
Tipo Intensificação (ou Enriquecimento);
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2. O